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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-29 11:30 GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 ○杉浦洋平・網谷良介・多次見大樹（工学院大）・尾沼猛儀（東京高専）・山口智広・本田 徹（工学院大）  ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 |
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| 抄録 | （和） | 六方晶(0001)GaN(Ga面)の表面フェルミ準位変化について、X線光電子分光法(XPS)を用い、表面酸化物量と関連づけて推定した。はじめに、基本的な角度分解XPS法(ARXPS)による価電子帯付近の束縛エネルギーピークの角度依存性について検証し、定性的な理解が一致することを確認した。その後、表面付近の空乏層電界をARXPSによって観測する方法について言及し、電界方向およびその相対的な大きさについて議論した。表面酸化物の存在により、表面空乏層電界強度が増加する傾向にあり、GaN結晶の表面フェルミ準位は表面酸化により価電子帯側方向に変化することがわかった。 |
| （英） | Surface-Fermi-level differences in hexagonal (0001)GaN as a function of the amount of surface oxides were estimated using AR-XPS. First, the binding energy peaks around the valence band of the GaN was investigated using AR-XPS. The intensity changing behavior was equal to the qualitative understanding for the peak attributions, which indicates that the escape depth of the XPS signals depends on the observed angles. Next, the electric field in the surface depletion layer in the Ga-face GaN was discussed using the ARXPS spectra. The surface Fermi energy of the GaN crystal was changed towards the valence-band side by increasing the amount of surface oxides. Keyword GaN，gallium nitride，XPS，ARXPS，electric field in depletion layer |
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| キーワード | （和） | GaN / 窒化ガリウム / XPS / ARXPS / 空乏層電界 / / / |
| （英） | GaN / gallium nitride / XPS / ARXPS / electric field in depletion layer / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-96, pp. 13-15, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-96 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of Surface Fermi level differences in surface-modified GaN crystals |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化ガリウム / gallium nitride |
| キーワード(3)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(4)（和/英） | ARXPS / ARXPS |
| キーワード(5)（和/英） | 空乏層電界 / electric field in depletion layer |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉浦 洋平 / Yohei Sugiura / スギウラ ヨウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 網谷 良介 / Ryosuke Amiya / アミヤ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多次見 大樹 / Daiki Tajimi / タジミ ダイキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾沼 猛儀 / Takeyoshi Onuma / オヌマ タケヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業高等専門学校 (略称： 東京高専) Tokyo National College of Technology (略称： TNCT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 智広 / Tomohiro Yamaguchi / ヤマグチ トモヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 徹 / Tohru Honda / ホンダ トオル |
| 第6著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-29 11:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-68, CPM2012-125, LQE2012-96 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.13-15 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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