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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 14:05 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用 ○落合俊介・高木麻有奈（三重大）・福世文嗣（三重大/浜松ホトニクス）・三宅秀人・平松和政（三重大）・小林祐二・吉田治正（浜松ホトニクス）  ED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113 |
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| 抄録 | （和） | AlxGa1-xNはAlNモル分率x を変化させることで，210から365 nmまでの広い紫外発光波長域をカバーできることから，深紫外LED等への応用研究が盛んに行われているが，280 nm以下の波長においてp型AlGaNの高抵抗及び結晶性の低下が原因により，LEDの発光効率は非常に低い．我々は高効率な深紫外光源として，p型AlGaNが不要な電子線励起による深紫外光源を提案してきた．本研究では，減圧MOVPE法を用いたAlN/sapphire テンプレート上Si-doped AlGaN 多重量子井戸を作製した．また，電子線励起による深紫外光源としての光学特性評価も行った． |
| （英） | AlxGa1-xN alloy has attracted significant attention owing to its emission covering the wavelength range from 210 to 365 nm upon changing the AlN molar fraction x. Research on the application of this characteristic to deep-ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) is being actively carried out. However, the emission efficiency of LEDs with wavelengths of less than 280 nm is rather low, partly due to the high resistivity of p-type AlGaN and the low quality of the AlGaN template. In this work, we performed the growth of Si-doped AlGaN multiple quantum wells (MQWs) on AlN/sapphire templates by low-pressure MOVPE (LP-MOVPE), and also studied optical properties as deep-UV-light-source by electron beam excitation. | |
| キーワード | （和） | 減圧MOVPE法 / Si-doped AlGaN / 多重量子井戸 / 紫外光源 / / / / |
| （英） | LP-MOVPE / Si-doped AlGaN / Multiple Quantum Wells / UV-light-source / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-113, pp. 93-96, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-113 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Si-doped AlGaN multiple-quantum wells by low-pressure MOVPE and its application for deep-UV-light-source |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 減圧MOVPE法 / LP-MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | Si-doped AlGaN / Si-doped AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 多重量子井戸 / Multiple Quantum Wells |
| キーワード(4)（和/英） | 紫外光源 / UV-light-source |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 落合 俊介 / Shunsuke Ochiai / オチアイ シュンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 麻有奈 / Mayuna Takagi / タカギ マユナ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福世 文嗣 / Fumitsugu Fukuyo / フクヨ フミツグ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学/浜松ホトニクス株式会社 (略称： 三重大/浜松ホトニクス) Mie University /HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： Mie Univ. /HAMAMATSU PHOTONICS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 祐二 / Yuji Kobayashi / コバヤシ ユウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 治正 / Harumasa Yoshida / ヨシダ ハルマサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-85, CPM2012-142, LQE2012-113 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.93-96 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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