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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 13:40 AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み ○富田優志（埼玉大）・平山秀樹・藤川紗千恵（理研）・水澤克哉・豊田史朗・鎌田憲彦（埼玉大）  ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率（IQE）の向上、ならびに光取出し効率（LEE）の飛躍的向上が期待される。本研究では、サファイア加工基板（PSS；Patterned Sapphire Substrate）上に、「アンモニアパルス供給多段AlN成長」と横エンハンス成長を組み合わせることで、結合ピラー構造を制御よく形成することに世界初成功した。さらに、横エンハンス成長モードをコントロールし、結合ピラー構造を埋め込み、平坦なAlNテンプレートを作製した。作成したAlNテンプレート上にLEDを作製し、発光波長265nmにおいて、室温CW動作光出力5.5mWを実現した。 |
| （英） | A connected-pillar AlN buffer structure fabricated on sapphire substrate is considered to be quite effective for increasing efficiency of AlGaN based deep-ultraviolet (DUV) LEDs, because of improving internal quantum efficiency (IQE) due to reduced threading-dislocation density (TDD), and light-extraction efficiency (LEE). In this study, we demonstrated the fabrication of connected-pillar AlN structure buffer on patterned-sapphire substrates (PSS) by using an ‘NH3 pulsed flow multi-layer growth’ method and an epitaxial lateral overgrowth (ELO). We obtained output power of 5.5 mW from 265 nm AlGaN-based DUV-LED fabricated on connected-pillar AlN buffer on PSS under room temperature CW operation. | |
| キーワード | （和） | 深紫外LED / MOCVD / AlN / AlGaN / 結合ピラー / / / |
| （英） | DUV-LED / MOCVD / AlN / AlGaN / Connected pillar / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-112, pp. 87-92, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-112 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Approaches for improving efficiency of AlGaN-based deep-UV LEDs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 深紫外LED / DUV-LED |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(5)（和/英） | 結合ピラー / Connected pillar |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富田 優志 / Yuji Tomita / トミタ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ |
| 第3著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水澤 克哉 / Katsuya Mizusawa / ミズサワ カツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊田 史朗 / Siro Toyoda / トヨダ シロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata / カマタ ノリヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-84, CPM2012-141, LQE2012-112 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.87-92 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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