| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 15:35 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成 ○河口研一・中田義昭・江川 満・山本剛之（富士通研）・荒川泰彦（東大）  ED2012-88 CPM2012-145 LQE2012-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-88 CPM2012-145 LQE2012-116 |
|
| 抄録 | （和） | InP系ナノワイヤは、近赤外領域の微小光源構造体として応用が期待されている。我々は、光源に適したナノワイヤヘテロ構造実現に向けて、ウルツ鉱型(WZ)結晶を有するInPナノワイヤを基とした、径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤのMOVPE成長およびそれらナノワイヤの光学特性を検討した。径方向量子井戸がナノワイヤコア上にエピタキシャルに成長することにより、平滑な側壁を有し、積層欠陥のないWZ結晶の量子井戸ナノワイヤが形成された。InAsP量子井戸の発光波長は、InAsP膜厚とAs組成により制御することができ、波長1.3μmの室温発光を示す径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤが得られた。 |
| （英） | InP-based nanowire (NW) heterostructures have attracted attentions as a building block for fabricating nano-scale light emitting devices in the near-infrared region. We investigated the growth of radial InP/InAsP quantum wells (QWs) on wurtzite (WZ) InP NWs using metalorganic vapor phase epitaxy and their optical properties. Radial InAsP QW layers were epitaxially grown on WZ-InP NW cores, which resulted in WZ-NW shells with smooth surface and high crystalline quality. Photoluminescence wavelengths were successfully controlled by adjusting the radial QW thickness and arsenic composition of InAsP, and emissions in the 1.3-μm region were demonstrated at room temperature. | |
| キーワード | （和） | InPナノワイヤ / ウルツ鉱型結晶 / 径方向InP/InAsP量子井戸 / / / / / |
| （英） | InP nanowire / wurtzite crystal / radial InP/InAsP quantum well / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-116, pp. 109-112, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-116 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-88 CPM2012-145 LQE2012-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-88 CPM2012-145 LQE2012-116 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of radial InP/InAsP quantum wells on InP nanowires for near-infrared optical devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InPナノワイヤ / InP nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | ウルツ鉱型結晶 / wurtzite crystal |
| キーワード(3)（和/英） | 径方向InP/InAsP量子井戸 / radial InP/InAsP quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河口 研一 / Kenichi Kawaguchi / カワグチ ケンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 義昭 / Yoshiaki Nakata / ナカタ ヨシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 満 / Mitsuru Ekawa / エカワ ミツル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 15:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-88, CPM2012-145, LQE2012-116 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.109-112 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]