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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 16:25 AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究 ○栂野裕二・北林佑太・石川史太郎・近藤正彦（阪大）  ED2012-90 CPM2012-147 LQE2012-118 |
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| 抄録 | （和） | フォトニック結晶作製を目指し，高Al組成のAlGaAsのICP(Inductive Coupled Plasma)ドライエッチング時のエッチングマスクの研究を行った．本研究では従来用いているSiO$_2$マスクとSi$_3$N$_4$マスクの比較からSi$_3$N$_4$マスクの有用性を検討した．この比較からSiO$_2$マスクから生じる酸素はAl酸化物堆積に影響を及ぼしていないことが分かった．またSiO$_2$マスクに比べSi$_3$N$_4$マスクの方がマスク耐性が高いということが分かり，より幅広い条件でエッチングを行う上でSi$_3$N$_4$マスクは有望であることを見出した． |
| （英） | We investigate inductively coupled plasma etching mask of Al-rich AlGaAs for photonic crystal (PC) fabrication. This study examined advantage of Si$_3$N$_4$ mask in comparison with SiO$_2$ mask used conventionally. It was found that the oxygen which comes from SiO$_2$ mask hardly affects the Al oxide deposits. It was also found that Si$_3$N$_4$ mask is higher in tolerance than SiO$_2$ mask. Si$_3$N$_4$ mask is promising under wider condition on etching. |
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| キーワード | （和） | ICPドライエッチング / 高Al組成AlGaAs / フォトニック結晶 / / / / / |
| （英） | Inductively coupled plasma etching / Al-rich AlGaAs / Photonic crystal / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-118, pp. 117-120, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-118 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-90 CPM2012-147 LQE2012-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on inductively-coupled-plasma-dry-etching-mask for AlGaAs photonic crystal fabrication |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ICPドライエッチング / Inductively coupled plasma etching |
| キーワード(2)（和/英） | 高Al組成AlGaAs / Al-rich AlGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 栂野 裕二 / Yuji Togano / トガノ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北林 佑太 / Yuta Kitabayashi / キタバヤシ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 史太郎 / Fumitaro Ishikawa / イシカワ フミタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 正彦 / Masahiko Kondow / コンドウ マサヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 16:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-90, CPM2012-147, LQE2012-118 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.117-120 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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