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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-13 11:00 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 ○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之（富士通研）  LQE2012-124 |
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| 抄録 | （和） | AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector（DR）レーザの高速直接変調動作を報告する。本レーザは、高速変調に有利な短共振器・活性層の高い微分利得・高抵抗埋め込みによる電流狭窄により、低消費電力下で高速動作が可能な構造である。波長1.3µm帯の短共振器DRレーザの直接変調動作において、40Gbps駆動で70度まで、50Gbps駆動で50度までの良好なアイ開口が得られ、10kmまでのファイバ伝送で波形が劣化しないことを確認した。また、高抵抗基板上に形成したDRレーザアレイでは、50度においてLAN-WDMグリッドに合致した4波長での発振と10mW以上の高出力が得られた。レーン当たり25.8Gbpsの変調動作では、アレイ内の2レーザを同時駆動してもアイ開口に目立った劣化は見られなかった。これらの結果から、本レーザ構造が次世代通信用光源として有望であることが示された。 |
| （英） | AlGaInAs-MQW distributed reflector (DR) laser with semi-insulating buried-heterostructure (SI-BH) has been developed as a high speed light source for short reach data transmissions. Owing to the short-cavity structure of the DR lasers, the high differential gain of the AlGaInAs-based material system, and the small active region of the laser which comes from the combination of the short cavity structure and the SI-BH waveguide, high-speed operation under low driving currents can be obtained. 40-Gbps direct modulation up to 70°C and 50-Gbps direct modulation up to 50°C using the DR laser have been achieved. We also confirmed that any noticeable deterioration of the eye-openings was not caused by 10-km fiber transmissions. The DR-laser arrays with four different wavelengths on LAN-WDM grid are also demonstrated. Each laser provided output power of over 10 mW at 50ºC under simultaneous operation and operated at 25.8 Gbps under push-pull driving configuration. No noticeable deterioration was observed in eye-diagrams when another laser in the array was modulated at 25.8-Gbps simultaneously. | |
| キーワード | （和） | 高速直接変調 / Distributed Reflectorレーザ / AlGaInAs系活性層 / 高抵抗埋め込み / レーザアレイ / / / |
| （英） | Direct Modulation / Distributed Reflector Laser / AlGaInAs-MQW / Semi-Insulating Buried-Heterostructure / Laser Array / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 356, LQE2012-124, pp. 15-18, 2012年12月. | |
| 資料番号 | LQE2012-124 | |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2012-124 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2012-12-13 - 2012-12-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-high-speed direct modulation of AlGaInAs semi-insulating buried-heterostructure distributed-reflector lasers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高速直接変調 / Direct Modulation |
| キーワード(2)（和/英） | Distributed Reflectorレーザ / Distributed Reflector Laser |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaInAs系活性層 / AlGaInAs-MQW |
| キーワード(4)（和/英） | 高抵抗埋め込み / Semi-Insulating Buried-Heterostructure |
| キーワード(5)（和/英） | レーザアレイ / Laser Array |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下山 峰史 / Takasi Simoyama / シモヤマ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 学 / Manabu Matsuda / マツダ マナブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥村 滋一 / Shigekazu Okumura / オクムラ シゲカズ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植竹 理人 / Ayahito Uetake / ウエタケ アヤヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 満 / Mitsuru Ekawa / エカワ ミツル |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-13 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2012-124 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.356 |
| ページ範囲 | pp.15-18 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) |
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