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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-13 09:35 高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価 ○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT）  LQE2012-121 |
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| 抄録 | （和） | 高速分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて，共振器長100～600$ \mu $mの19層積層InGaAs量子ドットレーザを作製し，室温で利得の評価を行った．量子ドットの基底準位における正味のモード利得は，注入電流2.25kA/c$m^{2}$において103c$m^{-1}$であり，内部光損失は14.4c$m^{-1}$であるので，モード利得は117c$m^{-1}$と見積もられた．飽和利得は，本手法を用いた12層積層量子ドットレーザの飽和利得よりも向上し，本手法を用いて作製した量子ドットレーザは，高積層によって利得が向上することを示した． |
| （英） | 19-stacked InGaAs quantum dot (QD) laser diode was fabricated by using ultrahigh-rate molecular beam epitaxial (MBE) growth technique, and gain characteristics was investigated at room temperature. Net modal gain obtained from the ground state was 103 c$m^{-1}$ at 2.25 kA/c$m^{2}$, and modal gain was evaluated as high as 117c$m^{-1}$ calculated by addition of net modal gain to optical internal loss of 14.4c$m^{-1}$. A saturation gain was higher than that of 12-stacked QD laser fabricated by using this technique, and this result indicate that highly stacking of QDs using this technique is effective to improve net modal gain of QD lasers. | |
| キーワード | （和） | InGaAs量子ドット / 量子ドットレーザ / 高利得 / 分子線エピタキシ / / / / |
| （英） | InGaAs Quantum Dot / Quantum Dot Laser / High Modal Gain / Molecular Beam Epitaxy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 356, LQE2012-121, pp. 1-4, 2012年12月. | |
| 資料番号 | LQE2012-121 | |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2012-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2012-12-13 - 2012-12-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gain characterization of 19-stacked InGaAs/GaAs quantum dot laser diode fabricated by ultrahigh rate MBE growth technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs量子ドット / InGaAs Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドットレーザ / Quantum Dot Laser |
| キーワード(3)（和/英） | 高利得 / High Modal Gain |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシ / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田之上 文彦 / Fumihiko Tanoue / タノウエ フミヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京/NICT) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅原 宏治 / Hiroharu Sugawara / スガワラ ヒロハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-13 09:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2012-121 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.356 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) |
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