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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-13 13:50 ［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 ○田辺克明・荒川泰彦（東大）  LQE2012-128 |
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| 抄録 | （和） | III-V化合物半導体光源をSiチップないし導波路上に形成したハイブリッド型レーザは、光集積回路の実現に有望視されている。特に、量子ドットレーザは低い発振閾値、高い温度動作安定性を有することから高密度集積に適している。我々は、低抵抗GaAs/Si直接融着技術を開発し、それを用いSi基板上1.3 um InAs/GaAs量子ドットレーザを作製した。既存のSiO2や金属を介した融着法と異なり、本構造ではIII-V/Si界面を通した電流注入と光結合の両方が可能であり、光集積回路の作製と駆動に大きな利便を与える。作製したレーザの閾値電流密度は205 A/cm2と、Si上の半導体レーザとして極めて小さい値を達成している。 |
| （英） | III-V semiconductor compound light sources monolithically integrated on Si substrates or waveguides would be promising for the realization of photonic integrated circuits. Specifically quantum dot lasers yield low lasing threshold current and high temperature stability and therefore are suitable for high-density integration. We have developed low-resistivity GaAs/Si direct wafer bonding technique and successfully fabricated 1.3 um InAs/GaAs quantum dot lasers on Si substrates. Our conductive direct-bonded heterostructures enables both electrical injection and optical coupling, and therefore gives more flexibility in design and operation of photonic integrated circuits in contrast to conventional SiO2- and metal-mediated bonding. Our fabricated laser device has achieved a lasing threshold current density of 205 A/cm2 at room temperature. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / 半導体レーザ / シリコンフォトニクス / ウェハ貼り合わせ / / / / |
| （英） | Quantum Dots / Semiconductor Lasers / Silicon Photonics / Wafer Bonding / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 356, LQE2012-128, pp. 31-33, 2012年12月. | |
| 資料番号 | LQE2012-128 | |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2012-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2012-12-13 - 2012-12-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Advances in Quantum Dot Lasers on Silicon Substrates by Wafer Bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor Lasers |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon Photonics |
| キーワード(4)（和/英） | ウェハ貼り合わせ / Wafer Bonding |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田辺 克明 / Katsuaki Tanabe / タナベ カツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-13 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2012-128 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.356 |
| ページ範囲 | pp.31-33 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) |
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