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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-13 11:25
1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD
森本慎太郎森 浩山田敦史長島靖明藤田幹明大貫紳一吉田谷弘明三瀬一明アンリツデバイスLQE2012-125
抄録 (和) 光パルス試験器OTDR(Optical Time Domain Reflectometer)用光源として、1550nmと1310nmの活性導波路をタンデムに光学連結し、両端面の共振と導波路中央部に内蔵した回折格子の反射を利用して、2波長の光出力を1つの出射点から取り出す構成にした1550nm/1310nm集積LDを考案した。回折格子領域長、共振器長を調整することにより、2波長のチップ出力が各々150mW以上の高出力LDを得た。更に導波路の一部にテーパー構造を導入することで1550nmと1310nmの双方でファイバ結合効率80%を得た。 
(英) We have developed a high power 1550nm/1310nm dual wavelength laser diode, which is suitable for Optical Time Domain Reflectometer. It has 1550nm and 1310nm active layers aligned in tandem. The cavity for 1550nm
light consists of front facet and rear facet, and that for 1310nm light consists of front facet and a grating located in center of the chip. Over 150mW output power was obtained for both of 1310nm and 1550nm light, by adjusting the grating length and cavity lengths. The fiber coupling efficiency of 80% was achieved by introducing partially tapered waveguide structure.
キーワード (和) 半導体レーザ / 集積 / ファイバ結合効率 / OTDR / 2波長 / / /  
(英) semiconductor laser / integration / fiber coupling efficiency / OTDR / dual wavelength / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 356, LQE2012-125, pp. 19-22, 2012年12月.
資料番号 LQE2012-125 
発行日 2012-12-06 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2012-125

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2012-12-13 - 2012-12-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2012-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 1550nm/1310nm dual wavelength high power LD 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor laser  
キーワード(2)(和/英) 集積 / integration  
キーワード(3)(和/英) ファイバ結合効率 / fiber coupling efficiency  
キーワード(4)(和/英) OTDR / OTDR  
キーワード(5)(和/英) 2波長 / dual wavelength  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森本 慎太郎 / Shintaro Morimoto / モリモト シンタロウ
第1著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 浩 / Hiroshi Mori / モリ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 敦史 / Atsushi Yamada / ヤマダ アツシ
第3著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 長島 靖明 / Yasuaki Nagashima / ナガシマ ヤスアキ
第4著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 幹明 / Motoaki Fujita / フジタ モトアキ
第5著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 大貫 紳一 / Shinichi Onuki / オオヌキ シンイチ
第6著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田谷 弘明 / Hiroaki Yoshidaya / ヨシダヤ ヒロアキ
第7著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 三瀬 一明 / Kazuaki Mise / ミセ カズアキ
第8著者 所属(和/英) アンリツデバイス(株) (略称: アンリツデバイス)
Anritsu Devices Co.,Ltd (略称: Anritsu Devices)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-12-13 11:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2012-125 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.356 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2012-12-06 (LQE) 


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