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| 講演名 | 2012-12-13 14:15 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用 ○林 侑介・長部 亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  LQE2012-129 |
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| 抄録 | （和） | 直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、次世代大規模光集積回路の実現において有力な方法である。プラズマ活性化貼り付け法は従来の直接貼り付け法と比較して、低温加熱で高い貼り付け強度の実現が可能とされており、これを利用することで高効率ハイブリッドレーザの実現が期待される。今回、窒素プラズマ活性化貼り付け法を用い、InP/Si貼り付け強度および貼り付け後PL強度のプロセス温度依存性を調べ、150 °Cの貼り付け時に室温貼り付け時と比較して70%以上のPL強度を維持しつつ、レーザ作製に耐えうる貼り付け強度が得られることを確認した。これらの技術を用い、従来報告と比較して150°Cという低温貼り付けでGaInAsP/Siハイブリッドレーザを作製し、しきい値電流密度850 A/cm2を実現した。 |
| （英） | III-V/Si hybrid integration with direct bonding is an attractive way to realize large scale photonic integrated circuits. Since plasma activated bonding is expected to have a higher bonding strength at a lower heating temperature, in comparison with conventional bonding methods, realization of highly efficient hybrid laser is expected. In this paper, by utilizing N2 plasma activated bonding, InP/Si bonding strength and PL intensity after the bonding was investigated, and even at bonding temperature of 150°C, bonding strength of 0.7 MPa enough for fabricating lasers was obtained, while over 70% PL intensity was sustained after the bonding. Moreover, GaInAsP/Si hybrid laser was fabricated with low bonding temperature of 150°C compared with conventional reports, and threshold current density of 850 A/cm2 was achieved. | |
| キーワード | （和） | プラズマ活性化貼り付け / ハイブリッドレーザ / シリコンフォトニクス / / / / / |
| （英） | Plasma activated bonding / Hybrid laser / Silicon photonics / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 356, LQE2012-129, pp. 35-40, 2012年12月. | |
| 資料番号 | LQE2012-129 | |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2012-129 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2012-12-13 - 2012-12-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | III-V/Si Direct Bonding by N2 Plasma Surface Activation and Its Application to Hybrid Laser |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ活性化貼り付け / Plasma activated bonding |
| キーワード(2)（和/英） | ハイブリッドレーザ / Hybrid laser |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 侑介 / Yusuke Hayashi / ハヤシ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長部 亮 / Ryo Osabe / オサベ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 渓太 / Keita Fukuda / フクダ ケイタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | カン ジュンヒョン / JoonHyun Kang / カン ジュンヒョン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渥美 裕樹 / Yuki Atsumi / アツミ ユウキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-13 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2012-129 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.356 |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-12-06 (LQE) |
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