お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-17 15:55
[ポスター講演]0.18μmCMOSプロセスを用いたパッチクランプ測定システムの設計
中山 渉大野隆一安田陽平川島拓也中野誠彦慶大ICD2012-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-110
抄録 (和) 神経細胞の解析手段として細胞のイオン電流を測定できるパッチクランプ法があり、今後の研究のために測定システムの小型化が必要とされている.本研究では0.18$\mu$mCMOSプロセスを用いたパッチクランプ測定システム用LSIを設計した.システムには電流信号を電圧に変換するI-Vコンバータ、ピペット-細胞間の寄生直列抵抗成分を補償する抵抗補償システム、ピペットの寄生容量を補償する容量補償システムが含まれる.容量補償システムは最大で70 pFまでのピペット容量の補償を可能とした.また細胞膜電位を固定する外部信号${\rm V}_{CMD}$は、寄生直列抵抗成分を20 M$\Omega$と想定した場合、その寄生成分によって帯域を1.41 kHzに制限される。再設計した抵抗補償システムはこれを2.35 kHzに伸ばした. 
(英) The Patch Clamp, which can measure ion-channel current of membrane, is one of the way to analyze the neuron and its measurement system is required to be minimized. We designed LSI Measurement system for Patch Clamp using 0.18$\mu$m CMOS process. This system includes following block ; I-V Converter for converting current to voltage , ${\rm R_s}$ compensation system for compensating pipette-cell parasitic serial resistance , and ${\rm C_p}$ compensation system for compensating pipette parasitic capasitance. Capacitance Compensation system can compensate up to 70pF.When ${\rm R_s}$ is 20MΩ,the freaquency range of input Voltage ${\rm V}_{CMD}$ is limited to1.41kHz cause of the parasitics. Resistance Compensation system expanded its freaquency range up to 2.35kHz.
キーワード (和) パッチクランプ / 抵抗補償 / 容量補償 / / / / /  
(英) Patch-Clamp / Resistance-Compensation / Capacitance-Compensation / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-110, pp. 73-76, 2012年12月.
資料番号 ICD2012-110 
発行日 2012-12-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2012-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-110

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2012-12-17 - 2012-12-18 
開催地(和) 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール 
開催地(英) Tokyo Tech Front 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-12-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 0.18μmCMOSプロセスを用いたパッチクランプ測定システムの設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Design of Patch Clamp Measurement System using 0.18μm CMOS Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パッチクランプ / Patch-Clamp  
キーワード(2)(和/英) 抵抗補償 / Resistance-Compensation  
キーワード(3)(和/英) 容量補償 / Capacitance-Compensation  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 渉 / Wataru Nakayama / ナカヤマ ワタル
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 隆一 / Ryuich Ohno / オオノ リュウイチ
第2著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 陽平 / Yohei Yasuda / ヤスダ ヨウヘイ
第3著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川島 拓也 / Takuya Kawashima / カワシマ タクヤ
第4著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 誠彦 / Nobuhiko Nakano / ナカノ ノブヒコ
第5著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2012-12-17 15:55:00 
発表時間 120分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2012-110 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.365 
ページ範囲 pp.73-76 
ページ数
発行日 2012-12-10 (ICD) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会