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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-18 11:40
High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes
Mikhail PatrashinNorihiko SekineAkifumi KasamatsuIssei WatanabeIwao HosakoNICT)・Tsuyoshi TakahashiMasaru SatoYasuhiro NakashaNaoki HaraFujitsu Lab.ED2012-106 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-106
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) Increasing interest to high-resolution active and passive MMW-THz imaging and high-speed wireless data communications motivates development of novel devices and systems operating beyond 100 GHz. Among various detector technologies, zero-bias heterostructure tunnel diodes based on III-V compound semiconductors have promising characteristics, such as reduced 1/f noise, higher operational frequencies due to small device capacitances, and feasibility of monolithic integration of the detectors with low noise amplifier (LNA) circuits. We evaluated performance of InP-based, zero-bias, square-law GaAsSb/InAlAs/InGaAs tunnel diodes for direct detection at frequencies up to 330 GHz. The detectors with submicron cross-sectional area demonstrated sensitivities above 500 V/W. Optimization of the device structure can improve the sensitivity and the cut-off frequency.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Semiconductor heterostructures / tunnel diodes / millimeter wave detectors / millimeter wave imaging / MMICs / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 364, ED2012-106, pp. 75-76, 2012年12月.
資料番号 ED2012-106 
発行日 2012-12-10 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-106 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-106

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2012-12-17 - 2012-12-18 
開催地(和) 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 
開催地(英) Tohoku University 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter wave / Terahertz devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2012-12-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Semiconductor heterostructures  
キーワード(2)(和/英) / tunnel diodes  
キーワード(3)(和/英) / millimeter wave detectors  
キーワード(4)(和/英) / millimeter wave imaging  
キーワード(5)(和/英) / MMICs  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) パトラシン ミハイル / Mikhail Patrashin / パトラシン ミハイル
第1著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
NICT (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 関根 徳彦 / Norihiko Sekine / セキネ ノリヒコ
第2著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
NICT (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ
第3著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
NICT (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第4著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
NICT (略称: NICT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 寳迫 巌 / Iwao Hosako / ホウサコ イワオ
第5著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
NICT (略称: NICT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル
第7著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第8著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第9著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-12-18 11:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2012-106 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.364 
ページ範囲 pp.75-76 
ページ数
発行日 2012-12-10 (ED) 


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