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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-01-18 13:50 GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2012-124 MW2012-154 |
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| 抄録 | （和） | ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについて詳細に調べた.デバイスをオフからオンへスイッチングした直後のオン抵抗の測定結果によると,温度上昇に伴い電流コラプスが増大することがわかった.この結果は,温度が上昇すると電子の放出過程が促進され,電流コラプスが抑制されるという当初の予想とは逆の結果である.我々はこの原因について詳細に調べ,温度の上昇により電子の放出過程が促進されるだけでなく,電子の捕獲過程が同時に促進されることを見出した.また,電子の捕獲過程においてエネルギー障壁が存在することを明らかにし,その大きさを0.17eVと決定した.このエネルギー障壁が生じる原因については,配位座標モデルにより説明し,電子と格子の強い相互作用により生じていると結論した. |
| （英） | Kinetic studies on the current collapse of a normally-off AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor under a high voltage have been performed above room temperature. The on-state resistance after the on switching from the off state increases at high temperatures, contrary to the expectation that the emission of electrons is enhanced at elevated temperatures. This result indicates that elevating the temperature enhances not only the emission of electrons but also their capture. We experimentally observe that the enhancement of the capture process at high temperatures originates from the energy barrier for the capture of electrons, the value of which is determined to be 0.17~eV. The origin of the energy barrier for the capture process is explained by a configuration coordinate diagram. |
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| キーワード | （和） | 電流コラプス / GaN / ALGaN / HFET / HEMT / 配位座標 / / |
| （英） | current collapse / GaN / AlGaN / HFET / HEMT / configuration coordinate diagram / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 380, ED2012-124, pp. 63-68, 2013年1月. | |
| 資料番号 | ED2012-124 | |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-124 MW2012-154 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2013-01-17 - 2013-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Deep Trapping States at High Temperatures on Transient Performances of AlGaN/GaN HFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ALGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | 配位座標 / configuration coordinate diagram |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 健一郎 / Kenichiro Tanaka / タナカ ケンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 昌宏 / Masahiro Ishida / イシダ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-01-18 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-124, MW2012-154 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.380(ED), no.381(MW) |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) |
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