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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-01-24 15:16 InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価 ○村越尚輝・トウヒドル イスラム・福田武司・鎌田憲彦（埼玉大）・荒川泰彦（東大）  EID2012-21 |
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| 抄録 | （和） | 時間分解フォトルミネッセンス（PL）および非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起PL法を用いて，MOCVD成長したIn0.16Ga0.84N/In0.02Ga0.98N量子井戸試料の非発光再結合準位を評価した． 井戸層からの積分PL強度と再結合寿命の温度依存性から，活性化エネルギーはそれぞれ1.67，1.57meVと算出され，支配的な非発光再結合準位の存在が示唆された．また，2波長励起PLにおける規格化PL強度は、BGE強度依存性を増すにつれ井戸層領域で増加し、障壁層とGaN層では減少した．これは，少なくともBGEエネルギー（1.17eV）に対応した非発光再結合準位が禁制帯内に複数存在することを示しており，これら準位の分布とキャリア再結合過程の定量評価への糸口が得られた． |
| （英） | We investigated below-gap levels acting as non-radiative (NRR) centers in MOCVD-grown In0.16Ga0.84N/ In0.02Ga0.98N Quantum well (QW) structures. A method of Two-wavelength Excited Photoluminescence (PL) has been applied as a non-destructive, and a non-contacting spectroscopy without electrode, together with a time-resolved PL. With increasing the below-gap excitation intensity, the PL from the well layer increased, while that from barrier and GaN layers decreased. This implies that several NRR centers activated by the BGE energy of 1.17eV exist inside the forbidden gap of the QW, showing a possibility of analyzing carrier recombination mechanism quantitatively. | |
| キーワード | （和） | InGaN / 量子井戸構造 / 非発光再結合準位 / 2波長励起フォトルミネッセンス法 / / / / |
| （英） | InGaN / Quantum well structure / Non-radiative recombination center / Two-wavelength excited photoluminescence / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 409, EID2012-21, pp. 49-52, 2013年1月. | |
| 資料番号 | EID2012-21 | |
| 発行日 | 2013-01-17 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2012-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-IDY EID IEE-EDD |
| 開催期間 | 2013-01-24 - 2013-01-25 |
| 開催地（和） | 静岡大学 |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会（照明学会固体光源分科会，SID日本支部共催） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2013-01-IDY-EID-EDD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of InGaN Quantum Wells by Two-Wavelength Excited Photoluminescence |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸構造 / Quantum well structure |
| キーワード(3)（和/英） | 非発光再結合準位 / Non-radiative recombination center |
| キーワード(4)（和/英） | 2波長励起フォトルミネッセンス法 / Two-wavelength excited photoluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村越 尚輝 / Naoki Murakoshi / ムラコシ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | トウヒドル イスラム / A. Z. M. Touhidul Islam / トウヒドル イスラム |
| 第2著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 武司 / Takeshi Fukuda / フクダ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata / カマタ ノリヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-01-24 15:16:00 |
| 発表時間 | 8分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2012-21 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.409 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-01-17 (EID) |
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