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講演抄録/キーワード
講演名 2013-02-04 10:05
排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価
川端章夫二瓶瑞久村上 智佐藤元伸横山直樹産総研SDM2012-150
抄録 (和) 我々はナノカーボン材料のLSI排熱応用を目指している。今回、新規な高密度垂直および水平方向グラフェン (DVHG) 構造の熱伝導率を測定した。その結果、水平方向のグラフェン層を除去することによって垂直方向のグラフェンとコンタクトが形成され、熱伝導率が10倍、電気伝導率が100 倍改善することがわかった。垂直方向グラフェンコンタクト形成がTSVの 高熱伝導性を実現するために重要な技術であると考える。 
(英) This paper reports the tailoring thermal conductivity of novel dense vertical and horizontal graphene (DVHG) structures, which we have previously discovered. By removing horizontal graphene layers, resulting in forming vertical graphene contacts to the electrode, we improved not only the thermal conductivity but also the electrical conductivity by a factor of 10 and 100, respectively. We found that the vertical graphene contact formation can be an important technology to realize high thermal conductivity for carbon-based thermal through-silicon-via (TSV).
キーワード (和) DVHG / グラフェン / TSV / コンタクト / 熱伝導率 / / /  
(英) DVHG / graphene / TSV / contact / thermal conductivity / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 427, SDM2012-150, pp. 1-4, 2013年2月.
資料番号 SDM2012-150 
発行日 2013-01-28 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-150

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-02-04 - 2013-02-04 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improved Thermal Conductivity by Vertical Graphene Contact Formation for Thermal TSV 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) DVHG / DVHG  
キーワード(2)(和/英) グラフェン / graphene  
キーワード(3)(和/英) TSV / TSV  
キーワード(4)(和/英) コンタクト / contact  
キーワード(5)(和/英) 熱伝導率 / thermal conductivity  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川端 章夫 / Akio Kawabata /
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 二瓶 瑞久 / Mizuhisa Nihei /
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 智 / Tomo Murakam /
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 元伸 / Motonobu Sato /
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 直樹 / Naoki Yokoyama /
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-02-04 10:05:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-150 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.427 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2013-01-28 (SDM) 


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