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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-02-04 15:25 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 ～ Metal-Capバリア配線技術 ～ ○神吉剛司・池田淳也・須田章一・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）  SDM2012-155 |
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| 抄録 | （和） | 高密度チップ集積技術の要素技術となる低コストの有機樹脂を用いたChip間接続再配線の微細化において，有機樹脂中のハロゲンイオンや加水分解により生成される有機酸を起因としたCu配線の酸化・腐食を完全に防止する事が課題である．特に，L/S=3/3µm以下になると信頼性が著しく低下するため，Cuの酸化・腐食を防止する信頼性対策技術が必須となる．そこで，我々は無電解めっきによるMetal-Capバリアを用いたCu配線の高信頼性技術を開発した．Metal-Capバリアの中でもW含有率の高いCoWPバリアは優れた防食性を示し，L/S=1/1µmまでの微細化においても，高信頼性を実現する事が可能である． |
| （英） | In advancing minimization of Cu re-wiring for highly dense chip package at lower cost, the vital technology is to suppress Cu oxidation and corrosion caused with halide ions and organic acids which are produced by hydrolyzing resin. It cannot meet the reliability demands of L/S=3/3µm wiring without completely suppress them. We developed the high reliability technology of fine pitch re-wiring with Metal-Cap barrier by electro-less plating. Especially, CoWP barrier with high concentration of W shows an excellent anti-corrosion property and re-wiring covering with CoWP barrier could meet the reliability demands for L/S=1/1µm. | |
| キーワード | （和） | 高密度チップ集積 / チップ間接続配線 / 再配線 / 微細化 / 信頼性 / Metal-Cap / / |
| （英） | High Density Chip Package / Chip-to-Chip Wiring / Re-wiring / Minimization / Reliability / Metal-Cap / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 427, SDM2012-155, pp. 25-30, 2013年2月. | |
| 資料番号 | SDM2012-155 | |
| 発行日 | 2013-01-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-155 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-02-04 - 2013-02-04 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 |
| サブタイトル（和） | Metal-Capバリア配線技術 |
| タイトル（英） | High Reliability Technology of Fine Pitch Re-wiring for High Density Chip Package |
| サブタイトル（英） | Cu Re-wiring Covering with Metal-Cap Barrier Technology |
| キーワード(1)（和/英） | 高密度チップ集積 / High Density Chip Package |
| キーワード(2)（和/英） | チップ間接続配線 / Chip-to-Chip Wiring |
| キーワード(3)（和/英） | 再配線 / Re-wiring |
| キーワード(4)（和/英） | 微細化 / Minimization |
| キーワード(5)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(6)（和/英） | Metal-Cap / Metal-Cap |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神吉 剛司 / Tsuyoshi Kanki / |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD (略称： Fujitsu Labs) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 淳也 / Junya Ikeda / |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD (略称： Fujitsu Labs) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 章一 / Shoichi Suda / |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD (略称： Fujitsu Labs) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 靖志 / Yasushi Kobayashi / |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD (略称： Fujitsu Labs) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 義弘 / Yoshihiro Nakata / |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD (略称： Fujitsu Labs) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD (略称： Fujitsu Labs) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-02-04 15:25:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-155 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.427 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-01-28 (SDM) |
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