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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-02-28 09:25 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 ○内田貴史・竹中浩人・吉岡 勇・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）  ED2012-138 SDM2012-167 |
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| 抄録 | （和） | 二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD)間の結合の制御が重要である。我々は、複数ゲートを持つSiのDQD SETを作製し、QD中の電子数の変化によって2つのQD間のカップリング容量を変えることができることを見出した。電子数変化によって実効的な量子ドットの大きさが変化し、QD間の結合が変化したものと考えられる。 |
| （英） | A double quantum-dot (DQD) device is expected as a key device for quantum information processing as well as a single-electron transfer device. For this application, the control of capacitive coupling between the quantum dots (QDs) is important. We fabricated a multigate Si-DQD device and found that capacitive coupling of the Si-DQD is tunable by the number of electrons in the two QDs. The reason is attributed to the effective size change of QDs due to the change in number of electrons in the QDs. In addition, we find that capacitive coupling changes abnormal way by the change of the number of electrons in QDs. This might be caused by the change of effective configuration of QDs due to the change of distribution of electron wave function in QDs. | |
| キーワード | （和） | 単電子 / 二重量子ドット / カップリング容量 / / / / / |
| （英） | Single electron / Double quantum dot / Capacitive coupling / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 446, SDM2012-167, pp. 53-58, 2013年2月. | |
| 資料番号 | SDM2012-167 | |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-138 SDM2012-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2013-02-27 - 2013-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学（百年記念会館） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of double quantum dot Si single-electron transisor caused by the number change of electrons in quantum dot |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子 / Single electron |
| キーワード(2)（和/英） | 二重量子ドット / Double quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | カップリング容量 / Capacitive coupling |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 貴史 / Takafumi Uchida / ウチダ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Univ (略称： Hokkaido Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 浩人 / Hiroto Takenaka / タケナカ ヒロト |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Univ (略称： Hokkaido Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 勇 / Isamu Yoshioka / ヨシオカ イサム |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Univ (略称： Hokkaido Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Univ (略称： Hokkaido Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Univ (略称： Hokkaido Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-02-28 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2012-138, SDM2012-167 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.445(ED), no.446(SDM) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) |
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