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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-03-08 15:50 TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転 ○藤澤佑樹・吉川大貴・加藤剛志・岩田 聡（名大）・綱島 滋（名古屋産業科学研）  MR2012-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2012-50 |
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| 抄録 | （和） | 大きな垂直磁気異方性を有し, 低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした[Co/Pd] / MgO / TbFe垂直磁気トンネル接合を作成し, その磁気抵抗(MR)特性およびトンネル障壁へ電流パルスを印加することで発生するジュール熱による熱アシスト磁化反転を確認した. MgO 1.4 nmの磁気トンネル接合素子では低バイアス(40 mV)でMR比9 %, 面積抵抗342 Ωμm2程度の値が得られた. またTbFe層の室温での保磁力は1.5 kOe以上であるが, トンネル障壁にパルス幅100 msecの電流パルスを印加することで発生するジュール熱を利用し, 100 Oeの磁界で磁化反転を観測した. |
| （英） | Perpendicular magnetized [Co/Pd] / MgO / TbFe tunnel junctions whose memory layer, TbFe, exhibits large perpendicular anisotropy and low Curie temperature were fabricated, and their magneto resistance (MR) properties and thermally assisted magnetization switching utilizing Joule heat generated by a current pulse through the junction were confirmed. The [Co/Pd] / MgO / TbFe junction with a barrier thickness of 1.4 nm exhibited an areal resistance of 342 Ωμm2 and an MR ratio of 9 % at a low bias voltage of 40 mV. The coercivity of TbFe memory layer was more than 1.5 kOe at room temperature, however the magnetization of the TbFe switched at an external field of 100 Oe when the current pulse with a pulse width 100 msec was applied through the junction, which results from Joule heat generated by the current pulse. | |
| キーワード | （和） | 熱アシスト磁化反転 / MTJ / 希土類-遷移金属 / TbFe / / / / |
| （英） | Thermally assisted switching / MTJ / RE-TM / TbFe / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, 2013年3月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2013-03-01 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2012-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2012-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2013-03-08 - 2013-03-08 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | 光記録，一般 |
| テーマ（英） | Optical recording, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2013-03-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermally assisted switching on magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetized TbFe memory layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱アシスト磁化反転 / Thermally assisted switching |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | 希土類-遷移金属 / RE-TM |
| キーワード(4)（和/英） | TbFe / TbFe |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤澤 佑樹 / Yuki Fujisawa / フジサワ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 大貴 / Daiki Yoshikawa / ヨシカワ ダイキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 剛志 / Takeshi Kato / カトウ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 聡 / Satoshi Iwata / イワタ サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 綱島 滋 / Shigeru Tsunashima / ツナシマ シゲル |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋産業科学研究所 (略称： 名古屋産業科学研) Nagoya Industrial Science Research Institute (略称： NISRI) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-03-08 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2012-50 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.452 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-03-01 (MR) |
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