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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-04-11 17:30 ［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄 篤（東芝）・三輪 達（サンディスク）  ICD2013-11 |
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| 抄録 | （和） | 近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれらの新不揮発メモリは、既存のSRAM、DRAMやフラッシュメモリを置き換えていく可能性がある。今後の展望について、各専門分野の著名な方にご登壇頂き、パネルディスカッションする。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | 不揮発メモリ / スタティックRAM / ダイナミックRAM / 抵抗変化型メモリ / 相変化メモリ / フラッシュメモリ / 強誘電体メモリ / 磁性体メモリ |
| （英） | nonvolatile memory / SRAM / DRAM / ReRAM / phase change memory / flash memory / FeRAM / MRAM | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-11, pp. 53-53, 2013年4月. | |
| 資料番号 | ICD2013-11 | |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2013-04-11 - 2013-04-12 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 つくばセンター |
| 開催地（英） | Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 |
| サブタイトル（和） | 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ |
| タイトル（英） | Future prospects of memory solutions for smart society |
| サブタイトル（英） | Can new nonvolatile memories replace SRAM/DRAM/Flash? |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発メモリ / nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | スタティックRAM / SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | ダイナミックRAM / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / ReRAM |
| キーワード(5)（和/英） | 相変化メモリ / phase change memory |
| キーワード(6)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memory |
| キーワード(7)（和/英） | 強誘電体メモリ / FeRAM |
| キーワード(8)（和/英） | 磁性体メモリ / MRAM |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Erctronics (略称： Renesas Erctronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 佳一 / Yoshikazu Katoh / カトウ ヨシカズ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半澤 悟 / Satoru Hanzawa / ハンザワ サトル |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶谷 一彦 / Kazuhiko Kajigaya / カジガヤ カズヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | エルピーダメモリ (略称： エルピーダメモリ) Elpida Memory (略称： Elpida Memory) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 達 / Toru Miwa / ミワ トウル |
| 第7著者 所属（和/英） | サンディスク (略称： サンディスク) SanDisk (略称： SanDisk) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-04-11 17:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-11 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | p.53 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) |
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