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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-04-11 09:50 ［招待講演］STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ ○角田浩司・能代英之・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・射場義久・畑田明良・中林正明・長永隆志・青木正樹・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合）  ICD2013-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-2 |
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| 抄録 | （和） | CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した．このMTJはCoFeB/MgO界面に誘起される垂直磁気異方性を利用しており，新たに2重トンネル接合とダミー磁化自由層を設けることで，書き換え電流と熱安定性のトレードオフ改善を目指している．この垂直磁化型MTJを65 nm世代のCMOSプロセスにて300 mmウエハ上に試作した結果，直径53 nmのMTJでスイッチング電流Ic0 = 57 uA，熱安定性Δ = 52，Δ/Ic0 = 0.91という特性が得られた．Δ/Ic0比は従来のMTJに比べて2倍以上に向上している．新しいMTJは優れた製造性を有しながら，Δ/Ic0比の改善と低電圧動作(100 nsで0.34 V)を同時に満たすことができる． |
| （英） | A novel magnetic tunnel junction (MTJ) for embedded memory applications such as spin transfer torque magneto-resistive random access memory (STT-MRAM) is proposed. It consists of a dummy free layer and dual tunnel junctions using perpendicular magnetic anisotropy at the CoFeB/MgO interface. A fabricated MTJ with 53 nm diameter exhibited a high thermal stability factor Delta = 52 and a small switching current Ic0 = 57 uA, resulting in an Delta/Ic0 ratio of 0.91, which is more than twice that of the reference MTJ. This MTJ simultaneously provides an excellent Delta/Ic0 ratio, low-voltage switching (0.34 V at 100 ns), and good manufacturability. | |
| キーワード | （和） | スピン注入型MRAM / 磁気トンネル接合 / 垂直磁気異方性 / 2重トンネル接合 / ダミー磁化自由層 / / / |
| （英） | STT-MRAM / MTJ / PMA / Dual tunnel junctions / Dummy free layer / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-2, pp. 5-10, 2013年4月. | |
| 資料番号 | ICD2013-2 | |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-2 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2013-04-11 - 2013-04-12 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 つくばセンター |
| 開催地（英） | Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Novel MTJ for STT-MRAM with a Dummy Free Layer and Dual Tunnel Junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピン注入型MRAM / STT-MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 磁気トンネル接合 / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | 垂直磁気異方性 / PMA |
| キーワード(4)（和/英） | 2重トンネル接合 / Dual tunnel junctions |
| キーワード(5)（和/英） | ダミー磁化自由層 / Dummy free layer |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 浩司 / Koji Tsunoda / ツノダ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 能代 英之 / Hideyuki Noshiro / ノシロ ヒデユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 親子 / Chikako Yoshida / ヨシダ チカコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 裕一 / Yuuichi Yamazaki / ヤマザキ ユウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 厚 / Atsushi Takahashi / タカハシ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 射場 義久 / Yoshihisa Iba / イバ ヨシヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑田 明良 / Akiyoshi Hatada / ハタダ アキヨシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中林 正明 / Masaaki Nakabayashi / ナカバヤシ マサアキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長永 隆志 / Takashi Takenaga / タケナガ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 正樹 / Masaki Aoki / アオキ マサキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii / スギイ トシヒロ |
| 第11著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-04-11 09:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-2 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) |
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