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講演抄録/キーワード
講演名 2013-04-12 08:30
[招待講演]相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング
宮村 信多田宗弘阪本利司伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光超低電圧デバイス技研組合ICD2013-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-12
抄録 (和) 低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを開発し、3x3セルアレイ規模での回路のマッピングとその動作を実証した。相補型原子移動スイッチをCMOSスイッチに代わって用いることで、65nmテクノロジーノードにおいてリファレンスセルに比べ78%の小面積化を行い、さらに、プログラマブルセルの不揮発化を実現した。今回、任意回路を実現するための、RTLコードからコンフィギュレーションデータ生成までの一貫したツールチェーンを併せて開発した。本ツールを用いて2bit加算器のマッピングをおこない、3x3プログラマブルセルにおいて回路動作を確認した。 
(英) Reconfigurable nonvolatile programmable-logic using complementary atom switch (CAS) is successfully demonstrated on a 65-nm-node test chip. The CAS integrated over CMOS reduces the cell area by 78% compared to a conventional SRAM-based design. The full path from RTL source code to chip configuration is newly developed for the atom-switch-based programmable cell, and 2 bit full adder logic operation is realized on the actual 3x3 programmable cell.
キーワード (和) 原子移動型スイッチ / 不揮発 / 再構成可能 / バックエンドデバイス / プログラマブルセル / / /  
(英) Atom switch / Nonvolatile / Reconfigurable / BEOL devices / Programmable cell / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-12, pp. 55-59, 2013年4月.
資料番号 ICD2013-12 
発行日 2013-04-04 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2013-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-12

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2013-04-11 - 2013-04-12 
開催地(和) 産業技術総合研究所 つくばセンター 
開催地(英) Advanced Industrial Science and Technology (AIST) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2013-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Complementary atom-switch based programmable cell array and its demostraion of logic mapping synthesized from RTL code 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 原子移動型スイッチ / Atom switch  
キーワード(2)(和/英) 不揮発 / Nonvolatile  
キーワード(3)(和/英) 再構成可能 / Reconfigurable  
キーワード(4)(和/英) バックエンドデバイス / BEOL devices  
キーワード(5)(和/英) プログラマブルセル / Programmable cell  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮村 信 / Makoto Miyamura / ミヤムラ マコト
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 多田 宗弘 / Munehiro Tada / タダ ムネヒロ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 阪本 利司 / Toshitsugu Sakamoto / サカモト トシツグ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 伴野 直樹 / Naoki Banno / バンノ ナオキ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 浩一郎 / Koichiro Okamoto / オカモト コウイチロウ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 井口 憲幸 / Noriyuki Iguchi / イグチ ノリユキ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 波田 博光 / Hiromitsu Hada / ハダ ヒロミツ
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-04-12 08:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2013-12 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.55-59 
ページ数
発行日 2013-04-04 (ICD) 


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