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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-04-19 11:35 Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 ○舩窪一智・猪俣州哉・佐藤 良・朴 君昊（東北大）・小嗣真人（高輝度光科学研究センター）・吹留博一・末光真希（東北大）  ED2013-15 |
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| 抄録 | （和） | Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFETの電界移動度は、グラフェン本来の持つ真性移動度に比べ遥かに低い。我々は、グラフェンドメインサイズの拡大を中心とするグラフェン高品質化による高移動度実現をめざし、Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの作製を行った。 |
| （英） | Recently, graphene has attracted increasing attention as a new FET channel material to substitute Si. However, the field-effect mobilities reported for graphene FET are far below those that expected by its intrinsic mobility. With an aim at realizing high-mobility graphene FETs by enlargement of the domain size of graphene, we have conducted epitaxial graphene formation on 6H-SiC(0001) by high temperature annealing in Ar ambient. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / Ar雰囲気 / 高温アニール / 6H-SiC / / / / |
| （英） | Graphene / Ar ambient / High temperature annealing / 6H-SiC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 9, ED2013-15, pp. 59-62, 2013年4月. | |
| 資料番号 | ED2013-15 | |
| 発行日 | 2013-04-11 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2013-04-18 - 2013-04-19 |
| 開催地（和） | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 有機デバイス・酸化物デバイス・一般 |
| テーマ（英） | Organic Devices, Oxide Devices, and others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of qualified epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) by high temperature annealing in Ar ambient |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | Ar雰囲気 / Ar ambient |
| キーワード(3)（和/英） | 高温アニール / High temperature annealing |
| キーワード(4)（和/英） | 6H-SiC / 6H-SiC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舩窪 一智 / Kazutoshi Funakubo / フナクボ カズトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 猪俣 州哉 / Shuya Inomata / イノマタ シュウヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 良 / Ryo Inomata / サトウ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朴 君昊 / Goon-Ho Park / パク グンホー |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小嗣 真人 / Masato Kotsugi / コツギ マサト |
| 第5著者 所属（和/英） | 高輝度光化学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) JASRI (略称： JASRI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吹留 博一 / Hirokazu Fukidome / フキドメ ヒロカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 真希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-04-19 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-15 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.59-62 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-04-11 (ED) |
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