講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-04-19 11:35
Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 ○舩窪一智・猪俣州哉・佐藤 良・朴 君昊(東北大)・小嗣真人(高輝度光科学研究センター)・吹留博一・末光真希(東北大) ED2013-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-15 |
抄録 |
(和) |
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFETの電界移動度は、グラフェン本来の持つ真性移動度に比べ遥かに低い。我々は、グラフェンドメインサイズの拡大を中心とするグラフェン高品質化による高移動度実現をめざし、Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの作製を行った。 |
(英) |
Recently, graphene has attracted increasing attention as a new FET channel material to substitute Si. However, the field-effect mobilities reported for graphene FET are far below those that expected by its intrinsic mobility. With an aim at realizing high-mobility graphene FETs by enlargement of the domain size of graphene, we have conducted epitaxial graphene formation on 6H-SiC(0001) by high temperature annealing in Ar ambient. |
キーワード |
(和) |
グラフェン / Ar雰囲気 / 高温アニール / 6H-SiC / / / / |
(英) |
Graphene / Ar ambient / High temperature annealing / 6H-SiC / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 9, ED2013-15, pp. 59-62, 2013年4月. |
資料番号 |
ED2013-15 |
発行日 |
2013-04-11 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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