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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-05-16 14:10 薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタ回路の検討 ○中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2013-5 |
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| 抄録 | （和） | FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI (Silicon on Thin Buried Oxide: SOTB) は、Vthばらつきを抑えることができるため、論理回路の更なる低電源電圧化を図ることができる。超低電圧の信号の変換に既存のレベルシフタを用いると、レベルシフタ内部の貫通電流により消費電力が非常に大きくなってしまう問題がある。この問題を解決するために、本論文では薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタを提案する。提案するレベルシフタにより、従来回路よりも大幅に省電力で超低電圧の信号を通常電圧の信号に変換できることを示す。 |
| （英） | Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) technology has an advantage that variation in threshold voltage can be more suppressed than the bulk counterpart. This enables us to aggressively reduce supply voltage of logic circuit because threshold voltage can be reduced by using SOTB. When ultra low voltage signals are converted with conventional level converter, power consumption increases due to the increase of short-circuit power within the level converter. In this paper, a level converter circuit for ultra low voltage operation using SOTB is proposed to solve this problem. We demonstrate that energy consumption of the proposed level converter can be reduced by up to 61% as compared to the conventional ones. | |
| キーワード | （和） | 超低電圧 / レベルシフタ / 薄膜BOX-SOI / / / / / |
| （英） | ultra low voltage operation / level converter / Silicon-on-Thin-BOX MOSFET / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 30, VLD2013-5, pp. 43-48, 2013年5月. | |
| 資料番号 | VLD2013-5 | |
| 発行日 | 2013-05-09 (VLD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2013-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD IPSJ-SLDM |
| 開催期間 | 2013-05-16 - 2013-05-16 |
| 開催地（和） | 北九州国際会議場 |
| 開催地（英） | Kitakyushu International Conference Center |
| テーマ（和） | システム設計および一般 |
| テーマ（英） | System Design, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2013-05-VLD-SLDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタ回路の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Level Converter Design for Ultra Low Voltage Operation in Silicon-on-Thin-BOX MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超低電圧 / ultra low voltage operation |
| キーワード(2)（和/英） | レベルシフタ / level converter |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜BOX-SOI / Silicon-on-Thin-BOX MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 昌平 / Shohei Nakamura / ナカムラ ショウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-05-16 14:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2013-5 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.30 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-05-09 (VLD) |
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