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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-05-17 17:00 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性 ○霜鳥敏之・刑部遼一・丸山武男・飯山宏一（金沢大）  LQE2013-16 |
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| 抄録 | （和） | 集積回路の更なる高速化および低電力化に向けた集積回路と光デバイスとの集積化を目的として、標準0.18 m CMOSプロセスによりシリコンアバランシェ光検出器を作製し、その高速応答を測定した。素子はp型基板上にn型MOSFETを形成するための構造を利用したものであり、櫛形に陽極および陰極形成されている。基板浅部のウェルを吸収層として利用し、基板深部で光吸収により生成される電子及び正孔は応答速度を低下させてしまうため、これらをキャンセルする構造を導入してある。今回、受光面積を20×20 m2と一定とし、櫛型電極の間隔を0.64 m ~ 9.24 mまで変化素子を用意し、電極間隔による特性の比較を行った。その結果、電極間隔1 mの素子が最も高速動作を示し、最大帯域7 GHzを得た。また、利得帯域幅積は270 GHzであった。 |
| （英） | Si avalanche photodiodes (APDs) with different electrode spacing are fabricated by 0.18 m standard CMOS process, and their frequency response are measured at 0.8 m wavelength region. The structure of the device is based on the n-MOSFET on a p-substrate, and a p-well layer is used as an optical absorption layer, and the structure to cancel the photogenerated carriers generated in the p-substrate are introduced for fast response. For the APD with the electrode spacing of 1 m, the maximum bandwidth of 7 GHz and the gain bandwidth product of 270 GHz are achieved. The capacitance of the APD is measured to be 443 fF, and the corresponding CR-limited bandwidth with 50 load is estimated to be 7.2 GHz, showing the response speed is limited by the CR-limited bandwidth. Since the PAD capacitance is included in the measured capacitance, the capacitance can be decreased and the bandwidth may be increased resultantly with decreasing the PAD size. | |
| キーワード | （和） | シリコン / アヴァランシェ光検出器 / 標準CMOSプロセス / 高速応答 / / / / |
| （英） | Si / avalanche photodiode / standard CMOS process / high speed response / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 49, LQE2013-16, pp. 71-74, 2013年5月. | |
| 資料番号 | LQE2013-16 | |
| 発行日 | 2013-05-10 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2013-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE LSJ |
| 開催期間 | 2013-05-17 - 2013-05-17 |
| 開催地（和） | 金沢大学角間キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-05-LQE-LSJ |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Speed Response of Avalanche photodiode fabricated by 0.18um standard CMOS process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Si |
| キーワード(2)（和/英） | アヴァランシェ光検出器 / avalanche photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | 標準CMOSプロセス / standard CMOS process |
| キーワード(4)（和/英） | 高速応答 / high speed response |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 霜鳥 敏之 / Toshiyuki Shimotori / シモトリ トシユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 刑部 遼一 / Ryoichi Gyobu / ギョウブ リョウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯山 宏一 / Koichi Iiyama / イイヤマ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-05-17 17:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2013-16 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.49 |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-05-10 (LQE) |
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