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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-05-17 13:15 ［招待講演］半導体量子ドットを用いた量子もつれ光子対の発生 ○黒田 隆・間野高明・迫田和彰（物質・材料研究機構）・中島秀朗・熊野英和・末宗幾夫（北大）  LQE2013-8 |
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| 抄録 | （和） | 半導体量子ドットのカスケード遷移を用いて、もつれた光子対を発生することができる．提案は10年以上前に遡るが、量子ドットに内在する、わずかな形状異方性のために、実現は困難だった．これまで様々の超絶技巧で光学等方性を回復し、もつれあい光子対を検証する実験はあったが、いずれも拡張性に乏しい．我々は、液滴エピタキシー成長法を用いて、対称性の高いGaAs/AlGaAs量子ドットの自己形成に成功した．鍵は、成長基板面としてGaAs(111)A面を用いたことである．その結果、高いもつれあい度の光子対発生を観測できたので報告する． |
| （英） | We are able to create an entangled photon source using a two-photon emission cascade in a semiconductor quantum dot. The initial proposal was reported in 2000, but experimental implementation has long been challenging because of the inherent anisotropy of grown dots. A variety of sophisticated schemes have been adopted to restore the optical isotropy of dots, while scalability in these techniques are limited. In this talk we report on the growth of highly symmetric GaAs/AlGaAs dots on a (111)A substrate using droplet epitaxy. We successfully observed highly entangled photon pairs that were emitted from the dot. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / 量子もつれ / もつれあい光子源 / 液滴エピタキシー / / / / |
| （英） | Quantum dot / Quantum entanglement / Entangled photon source / Droplet epitaxy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 49, LQE2013-8, pp. 35-40, 2013年5月. | |
| 資料番号 | LQE2013-8 | |
| 発行日 | 2013-05-10 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2013-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE LSJ |
| 開催期間 | 2013-05-17 - 2013-05-17 |
| 開催地（和） | 金沢大学角間キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-05-LQE-LSJ |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半導体量子ドットを用いた量子もつれ光子対の発生 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Entangled photon pair generation using a semiconductor quantum dot cascade |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | 量子もつれ / Quantum entanglement |
| キーワード(3)（和/英） | もつれあい光子源 / Entangled photon source |
| キーワード(4)（和/英） | 液滴エピタキシー / Droplet epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 隆 / Takashi Kuroda / クロダ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 間野 高明 / Takaaki Mano / マノ タカアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 迫田 和彰 / Kazuaki Sakoda / サコダ カズアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 秀朗 / Hideaki Nakajima / ナカジマ ヒデアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊野 英和 / Hidekazu Kumano / クマノ ヒデカズ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末宗 幾夫 / Ikuo Suemune / スエムネ イクオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-05-17 13:15:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2013-8 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.49 |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-05-10 (LQE) |
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