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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-18 10:35 HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構）  SDM2013-48 |
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| 抄録 | （和） | Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO2の効果を調べた。HfO2とGe との間にルチル型TiO2を堆積させた結果、GeOxの生成が効果的に抑制された。さらに、C-V 測定において、小さなヒステリシス、EOT = 0.84 nmの優れた電気特性が得られた。 |
| （英） | As a alternative of Si channel, the Ge channel has been proposed and has attracted much attention because of high electron and hole mobility. However, the critical problem of Ge MOS devices is high defect densities at the interface of high-k/Ge structures. To overcome this problem, we investigated rutile TiO2 interlayer as a passivation layer. We fabricated rutile TiO2 interlayer between HfO2 and Ge, and found that the GeOx formation was effectively suppressed. Moreover the good electrical properties with EOT = 0.84 nm and small hysteresis were realized. These procedures would be one of the promising method for Ge MOS device. | |
| キーワード | （和） | Ge / High-k / MOS / / / / / |
| （英） | Ge / High-k / MOS / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-48, pp. 25-28, 2013年6月. | |
| 資料番号 | SDM2013-48 | |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-06-18 - 2013-06-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of GeOx with rutile TiO2 Interlayer between HfO2 and Ge |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小橋 和義 / Kazuyoshi Kobashi / コバシ カズヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長田 貴弘 / Takahiro Nagata / ナガタ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for material science (略称： NIMS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for material science (略称： NIMS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 良之 / Yoshiyuki Yamashita / ヤマシタ ヨシユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for material science (略称： NIMS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyow / チキョウ トヨヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for material science (略称： NIMS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-18 10:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-48 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) |
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