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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-18 14:35 SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ ～ MIS型およびpnダイオード型メモリ ～ ○須田良幸・小松辰己・山口伸雄・佐藤芳彦・山田有希乃・山下淳史・塚本貴広（東京農工大）  SDM2013-57 |
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| 抄録 | （和） | 金属/トンネル酸化層/SiOx電子捕獲層/n-SiC/n-Si金属‐絶縁体‐半導体（MIS）型（構造）と金属/p型酸化物半導体/SiOx/n-SiC/n-Si/金属のpnダイオード型（構造）の2端子不揮発性メモリ素子を提案した．両メモリ素子共にSiOx電子捕獲層での電子の有無に依存してバンドのポテンシャルが変化し，素子の抵抗値が変化する電界誘起型動作を原理とする．特にpnダイオード型は優れた整流特性を示し，理論的最密なクロスポイント型メモリ素子としの応用が期待される． |
| （英） | We have proposed two types of metal/tunneling oxide layer/SiOx electron trap layer/n-SiC/n-Si (MIS) and p-type oxide semiconductor/SiOx/n-SiC/n-Si pn-diode structured two-terminal nonvolatile memory devices. In both the memory devices, the resistances change by electric field induction depending on existence or nonexistence of trap electrons at SiOx electron trap layers. Especially, the diode-type memory devices exhibit an excellent rectifying characteristic and are promising for their application to an ultimately dense cross-point memory cell array. | |
| キーワード | （和） | 不揮発性メモリ / 抵抗変化型メモリ / RRAM / 欠陥準位 / ダイオード / 金属‐絶縁体‐半導体 / / |
| （英） | Nonvolatile Memory / Resistive Memory / RRAM / Defect States / Diode / Metal Insulator Semiconductor / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-57, pp. 67-70, 2013年6月. | |
| 資料番号 | SDM2013-57 | |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-06-18 - 2013-06-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ |
| サブタイトル（和） | MIS型およびpnダイオード型メモリ |
| タイトル（英） | SiC Electric-Field-Induced Resistive Nonvolatile Memory |
| サブタイトル（英） | MIS and pn-Diode Type Memories |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / Resistive Memory |
| キーワード(3)（和/英） | RRAM / RRAM |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥準位 / Defect States |
| キーワード(5)（和/英） | ダイオード / Diode |
| キーワード(6)（和/英） | 金属‐絶縁体‐半導体 / Metal Insulator Semiconductor |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 良幸 / Yoshiyuki Suda / スダ ヨシユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 辰己 / Tatsumi Komatsu / コマツ タツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 伸雄 / Nobuo Yamaguchi / ヤマグチ ノブオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 芳彦 / Yoshihiko Sato / サトウ ヨシヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 有希乃 / Yukino Yamada / ヤマダ ユキノ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 淳史 / Atsushi Yamashita / ヤマシタ アツシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 貴広 / Takahiro Tsukamoto / |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-18 14:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-57 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) |
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