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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-18 09:20 テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 ○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2013-45 |
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| 抄録 | （和） | 高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には，良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成，および均一な厚さのゲート絶縁膜の形成が必要である．GeO2は，high-kゲート絶縁膜/Ge構造の界面層として期待されていることから、ALDによる極薄GeO2膜形成を試みた。ALDプロセスにおいて、TEOGの加水分解による化学量論的な極薄GeO2膜の形成に成功した。また、Ge基板表面をほとんど酸化することなく、GeO2膜を形成可能であることが明らかとなった。この結果は、EOT低減および立体構造Geチャネルに、本プロセスが非常に有効であることを示している。また、GeO2膜の基板表面依存性から、GeO2膜の初期成長メカニズムを明らかにした. |
| （英） | For realizing three-dimensional Ge channel MOSFET, fabrication of good interface property of high-k/Ge structure, and uniform gate insulator film were required. In this study, we tried fabrication of GeO2 film that is expected as interface layer of high-k/Ge structure by atomic layer deposition method that is able to fabricate atomic uniform film. We used tetraethoxy-germanium (TEOG) for Ge-organic feedstock, and H2O for oxidant. By supplying TEOG and H2O on SiO2/Si substrate at 400C, we succeeded in stoichiometric GeO2 without ligand of TEOG molecular. And at more than 400 cycles, amount of GeO2 was increase linearly for number of cycle. On Ge substrate, growth rate of GeO2 film is higher than on SiO2/Si substrate. | |
| キーワード | （和） | 立体GeチャネルMOSFET / GeO2/Ge構造 / 原子層堆積法 / テトラエトキシゲルマニウム / / / / |
| （英） | Three-dimensional Ge channel MOSFET / GeO2/Ge structure / Atomic layer deposition / Tetraethoxy-germanium / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-45, pp. 7-11, 2013年6月. | |
| 資料番号 | SDM2013-45 | |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-06-18 - 2013-06-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultra Thin GeO2 Film Using Tetraethoxy-Germanium |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 立体GeチャネルMOSFET / Three-dimensional Ge channel MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | GeO2/Ge構造 / GeO2/Ge structure |
| キーワード(3)（和/英） | 原子層堆積法 / Atomic layer deposition |
| キーワード(4)（和/英） | テトラエトキシゲルマニウム / Tetraethoxy-germanium |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 鉄兵 / Teppei Yoshida / ヨシダ テッペイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-18 09:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-45 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-06-11 (SDM) |
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