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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-21 16:30 リング発振器を用いたトランジスタの劣化推定法 ○池田龍史・三浦幸也（首都大東京）  DC2013-15 |
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| 抄録 | （和） | ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability（NBTI）やPositive Bias Temperature Instability（PBTI），Chanel Hot Carrier（CHC）と呼ばれる劣化現象がLSIの性能を低下させる主な要因となっている．これらの劣化現象によってトランジスタの動作速度が低下し，信号伝搬に遅延が生じることでLSIが誤動作してしまうという問題がある．本研究ではLSI内部に2種類のリング発振器を組み込み，劣化によるリング発振器の周期の変化量からトランジスタ１個あたりの遅延の増加量を推定することを可能とし，増加遅延を劣化の指標として用いた．また劣化によって変化したトランジスタのしきい値を推定可能にした．回路シミュレーションにより，トランジスタ１個あたりの遅延の増加を5％以内の誤差，トランジスタのしきい値の増加を2％以内の誤差で推定できることを確認した． |
| （英） | Aging called Negative Bias Temperature Instability (NBTI), Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and Chanel Hot Carrier (CHC) occurs in nanoscale transistors, which is a major factor for degrading the performance of LSIs. Operating speed of transistors is decreased by aging, and LSI malfunctions by a delay in signal propagation. In this paper, we present a method for estimating the amount of increase in delay time and a threshold value per one transistor from change in the period of two ring oscillators by aging. It was verified by circuit simulation that the proposed method can estimate with an error rate of less than 5% of the delay time increase and an error of less than 2% of the threshold voltage increase. | |
| キーワード | （和） | NBTI / PBTI / CHC / リング発振器 / 信号遅延 / / / |
| （英） | NBTI / PBTI / CHC / ring oscillators / signal delay / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 104, DC2013-15, pp. 31-36, 2013年6月. | |
| 資料番号 | DC2013-15 | |
| 発行日 | 2013-06-14 (DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | DC2013-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | DC |
| 開催期間 | 2013-06-21 - 2013-06-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 設計／テスト／検証 |
| テーマ（英） | Design, Test, Verification |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | DC |
| 会議コード | 2013-06-DC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リング発振器を用いたトランジスタの劣化推定法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Method of Transistor Degradation Estimation Using Ring Oscillators |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NBTI / NBTI |
| キーワード(2)（和/英） | PBTI / PBTI |
| キーワード(3)（和/英） | CHC / CHC |
| キーワード(4)（和/英） | リング発振器 / ring oscillators |
| キーワード(5)（和/英） | 信号遅延 / signal delay |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 龍史 / Tatsunori Ikeda / イケダ タツノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 幸也 / Yukiya Miura / ミウラ ユキヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-21 16:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | DC |
| 資料番号 | DC2013-15 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.104 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-06-14 (DC) |
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