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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-21 14:00 GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一（金沢大）・鈴木寿一（北陸先端大）  OPE2013-10 LQE2013-20 |
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| 抄録 | （和） | GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し，波長0.8 $mu$m帯での特性を評価した．受光面積は30 $mu$m x 30 $mu$mとし，電極間隔を2 $mu$m，1 $mu$m，0.4 $mu$mとした．電極間隔1 $mu$mの光検出器において，-5 V印加時で暗電流0.5 nAを得た．波長830 nmにおいて，-5V印加時で感度0.11 A/Wを得た．波長850 nmにおいて，-20V印加時で最大帯域8 GHzを得た． |
| （英） | We fabricated metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors on metamorphic InAlAs layer grown on GaAs substrate. The devices were measured at the wavelength of 0.8 $mu$m region. Receiving area is 30 $mu$m x 30 $mu$m and electrode spacing is 2 $mu$m, 1 $mu$m, and 0.4 $mu$m. With the electrode spacing of 1 $mu$m, the dark current of 0.5 nA was obtained at the bias voltage of -5 V. At the wavelength of 830 nm, the responsivity of 0.11 A/W was obtained at the bias voltage of -5 V. At the wavelength of 850 nm, maximum bandwidth of 8 GHz was obtained at the bias voltage of -20 V | |
| キーワード | （和） | メタモルフィック / InAlAs / MSM光検出器 / III-V族化合物半導体 / 周波応答 / / / |
| （英） | Metamorphic / InAlAs / MSM photodetector / III-V compound / High frequency response / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 100, LQE2013-20, pp. 19-22, 2013年6月. | |
| 資料番号 | LQE2013-20 | |
| 発行日 | 2013-06-14 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2013-10 LQE2013-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE |
| 開催期間 | 2013-06-21 - 2013-06-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | アクティブデバイスと集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-06-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GHz Response of Metamorphic InAlAs MSM Photodetector on GaAs Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | メタモルフィック / Metamorphic |
| キーワード(2)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| キーワード(3)（和/英） | MSM光検出器 / MSM photodetector |
| キーワード(4)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V compound |
| キーワード(5)（和/英） | 周波応答 / High frequency response |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前北 和晃 / Kazuaki Maekita / マエキタ カズアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯山 宏一 / Koichi Iiyama / イイヤマ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-21 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2013-10, LQE2013-20 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.99(OPE), no.100(LQE) |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-06-14 (OPE, LQE) |
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