講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-06-21 14:00
GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一(金沢大)・鈴木寿一(北陸先端大) OPE2013-10 LQE2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-10 LQE2013-20 |
抄録 |
(和) |
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8 $mu$m帯での特性を評価した.受光面積は30 $mu$m x 30 $mu$mとし,電極間隔を2 $mu$m,1 $mu$m,0.4 $mu$mとした.電極間隔1 $mu$mの光検出器において,-5 V印加時で暗電流0.5 nAを得た.波長830 nmにおいて,-5V印加時で感度0.11 A/Wを得た.波長850 nmにおいて,-20V印加時で最大帯域8 GHzを得た. |
(英) |
We fabricated metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors on metamorphic InAlAs layer grown on GaAs substrate. The devices were measured at the wavelength of 0.8 $mu$m region. Receiving area is 30 $mu$m x 30 $mu$m and electrode spacing is 2 $mu$m, 1 $mu$m, and 0.4 $mu$m. With the electrode spacing of 1 $mu$m, the dark current of 0.5 nA was obtained at the bias voltage of -5 V. At the wavelength of 830 nm, the responsivity of 0.11 A/W was obtained at the bias voltage of -5 V. At the wavelength of 850 nm, maximum bandwidth of 8 GHz was obtained at the bias voltage of -20 V |
キーワード |
(和) |
メタモルフィック / InAlAs / MSM光検出器 / III-V族化合物半導体 / 周波応答 / / / |
(英) |
Metamorphic / InAlAs / MSM photodetector / III-V compound / High frequency response / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 100, LQE2013-20, pp. 19-22, 2013年6月. |
資料番号 |
LQE2013-20 |
発行日 |
2013-06-14 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OPE2013-10 LQE2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-10 LQE2013-20 |