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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-07-12 13:50 L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大）  MR2013-7 |
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| 抄録 | （和） | L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によりMgO，SrTiO3，LaAlO3の(001)単結晶基板上に形成した．c軸方向と膜表面平坦性の制御を試みた．MgOとSrTiO3基板上に形成したFePd膜はc軸が面直に向いたL10(001)単結晶膜であるのに対し，LaAlO3基板上に形成したFePd膜およびいずれの基板上に形成したFePtとCoPt膜では，L10(001)結晶に加え，c軸が面内に存在する2種類のL10(100)結晶が形成された．膜と基板材料の組み合わせを選ぶことにより，c軸方向を面直にすることができることが示された．また，CoPt < FePt < FePdの膜材料順およびLaAlO3 < SrTiO3 < MgOの基板材料順により高い規則度が得られた．L10構造を持つ平坦膜を形成する手法として，基板温度200 °Cでの製膜後に600 °Cの熱処理を施す2段階法を提案した．2段階法を用いてMgO基板上にFePd膜を形成した場合においても，c軸方向が面直となるように制御できた．2段階法と基板温度600 °Cで製膜を行う1段階法を用いて形成した膜は同程度の規則度を持つことが分かった（S = 0.6–0.7）．2段階法を用いた場合，5～40 nm厚の膜で，算術平均粗さが0.2 nm以下の平坦表面が実現された．一方，1段階法で形成した膜では，ファセットが発達した起伏を持った表面が形成された．L10構造を持つ極薄平坦膜の形成法として，2段階法が有効であることが示された． |
| （英） | FePd, FePt, and CoPt alloy epitaxial thin films with L10 structure are prepared on (001) single-crystal substrates of MgO, SrTiO3, and LaAlO3 by using an ultra-high vacuum radio-frequency magnetron sputtering system. The c-axis destitution and the film surface flatness are controlled. FePd films formed on MgO and SrTiO3 substrates consist of L10(001) single-crystal with the c-axis normal to the film surface, whereas an FePd film formed on LaAlO3 substrate and FePt and CoPt films formed on all the substrates involve two types of L10(100) crystal with the c-axis lying in the film plane in addition to L10(001) crystal. The c-axis distribution is influenced by the combination of film and substrate materials. Higher order degrees are observed in the film material order of CoPt < FePt < FePd and the substrate material order of LaAlO3 < SrTiO3 < MgO. A two-step preparation method consisting of low-temperature deposition at 200 °C followed by high-temperature annealing at 600 °C is proposed in order to form L10 ordered films with flat surfaces. When FePd films are prepared on MgO substrates by the two-step method, the c-axis is also controlled to the perpendicular to the substrate surface. The order degrees of films prepared by two-step method are almost similar to those of films formed by one-step method consisting of deposition at 600 °C (S = 0.6–0.7). The films of thicknesses ranging from 5 to 40 nm prepared by the two-step method have very flat surfaces with the arithmetical mean roughness value lower than 0.2 nm, whereas rough surfaces involving facets are formed for the films prepared by the one-step method. The two-step method is effective for preparation of flat ultra-thin films with L10 structure. | |
| キーワード | （和） | FePd / FePt / CoPt / 薄膜 / L10構造 / 表面平坦性 / エピタキシャル成長 / 単結晶基板 |
| （英） | FePd / FePt / CoPt / thin film / L10 structure / surface flatness / epitaxial growth / single-crystal substrate | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, 2013年7月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2013-07-05 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2013-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2013-07-12 - 2013-07-12 |
| 開催地（和） | 中央大学 |
| 開催地（英） | Chuo Univ. |
| テーマ（和） | 固体メモリ・媒体，一般 |
| テーマ（英） | Solid State Memory, Media, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2013-07-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface Flatness Control of Ferromagnetic Alloy Thin Films with L10 Ordered Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FePd / FePd |
| キーワード(2)（和/英） | FePt / FePt |
| キーワード(3)（和/英） | CoPt / CoPt |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(5)（和/英） | L10構造 / L10 structure |
| キーワード(6)（和/英） | 表面平坦性 / surface flatness |
| キーワード(7)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(8)（和/英） | 単結晶基板 / single-crystal substrate |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 板橋 明 / Akira Itabashi / イタバシ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京藝術大学 (略称： 東京藝術大) Tokyo University of the Arts (略称： Tokyo University of the Arts) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-07-12 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2013-7 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.127 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-07-05 (MR) |
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