| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-07-18 10:20 微細構造の実効誘電率計算のための静電界解析 ○平野拓一・広川二郎・安藤 真（東工大）  MW2013-50 OPE2013-19 EST2013-14 MWP2013-9 |
|
| 抄録 | （和） | 著者らは、CMOSチップで必須となるダミーメタルの影響評価を行い、等価媒質定数を求める手法を提案してきた。等価媒質定数の抽出手法として過去に次の2つの手法(1)１周期構造を考え、伝搬固有モードを電磁界解析して、伝搬定数と特性インピーダンスから抽出する方法、(2)１周期構造を考え、キャパシタモデル、インダクタモデルの電磁界解析よりキャパシタンスとインダクタンスから等価媒質定数を抽出する方法を提案している。本稿ではこれらの結果のさらなる検証のために、波長に比して微細な構造の実効誘電率を計算する。解析手法としては１周期の構造について静電界解析（ラプラスの方程式）を解き、キャパシタンスを計算する手法について検討した。実効誘電率は過去に提案した手法で計算した値とよく一致した。 |
| （英） | The authors have proposed evaluation technique of effective material property for dummy metal fills, which is inevitable to use in CMOS process. The proposed methods were (1) method that analyze eigenmode of a unit-cell by assuming wave propagation problem, and (2) method that assume capacitor and inductor model for a unit-cell to extract effective material property. This report presents electrostatic analysis of effective permittivity for dummy metal fills used in CMOS chips in order to verify the proposed methods in the past and to propose quick evaluation method. The effective permittivity agreed very well with those calculated by proposed methods in the past. | |
| キーワード | （和） | 微細構造 / ダミーメタルフィル / CMOS / 静電界解析 / 実効誘電率 / ラプラスの方程式 / 抽出 / |
| （英） | Microstructure / Dummy metal fills / CMOS / Electrostatic analysis / Effective permittivity / Laplace equation / Laplace equation / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 143, EST2013-14, pp. 13-18, 2013年7月. | |
| 資料番号 | EST2013-14 | |
| 発行日 | 2013-07-11 (MW, OPE, EST, MWP) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2013-50 OPE2013-19 EST2013-14 MWP2013-9 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EST MWP OPE MW EMT IEE-EMT |
| 開催期間 | 2013-07-18 - 2013-07-19 |
| 開催地（和） | 稚内総合文化センター |
| 開催地（英） | Wakkanai Synthesis Cultural Center |
| テーマ（和） | マイクロ波フォトニクス技術、一般 |
| テーマ（英） | Microwave photonic technology etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EST |
| 会議コード | 2013-07-EST-MWP-OPE-MW-EMT-EMT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微細構造の実効誘電率計算のための静電界解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrostatic Analysis of Effective Permittivity for Microstructure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 微細構造 / Microstructure |
| キーワード(2)（和/英） | ダミーメタルフィル / Dummy metal fills |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | 静電界解析 / Electrostatic analysis |
| キーワード(5)（和/英） | 実効誘電率 / Effective permittivity |
| キーワード(6)（和/英） | ラプラスの方程式 / Laplace equation |
| キーワード(7)（和/英） | 抽出 / Laplace equation |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-07-18 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EST |
| 資料番号 | MW2013-50, OPE2013-19, EST2013-14, MWP2013-9 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.141(MW), no.142(OPE), no.143(EST), no.144(MWP) |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-07-11 (MW, OPE, EST, MWP) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]