| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2013-08-01 15:45
スパッタ法による上部電極膜の作製が有機EL素子の動作特性に及ぼす影響 ○星 陽一・小林信一・内田孝幸(東京工芸大)・清水英彦(新潟大) CPM2013-45 |
| 抄録 |
(和) |
有機EL素子においてスパッタ法を用いた上部電極膜の堆積が素子特性に及ぼす影響を調べた。その結果、?有機EL素子の作製では、基板入射する高エネルギー2次電子の基板への入射があると、動作電圧が著しく高くなってしまうこと、?Al上部陰極膜の作製においては、基板に入射する高エネルギー電子や高エネルギースパッタ粒子を抑制するとともに、斜め入射堆積粒子の割合を減らすことが、低電圧で動作する素子の作製に必要であること、?ITO上部陽極膜の作製では、網マスクを基板付近に挿入して影になる部分を作ることが発光特性の改善に有効であることが分かった。 |
| (英) |
In this study, we investigated the affect of the sputter-deposition of upper electrode films on the photo-emission performances in OLED. As a result, it was found that the incidence of high energy secondary electrons leads to a significant increase in the operating voltage of OLED. Suppression of the incidence of particles with high energy and high incidence angles in the sputter-deposition of Al upper cathode is necessary to obtain OLED which operate at low voltage. On the other hand, in the deposition of upper ITO anode, insertion of a mesh mask near substrate and making shadow was effective to improve the photo-emission properties of the OLED. |
| キーワード |
(和) |
有機EL素子 / 電極膜 / スパッタ / Al陰極膜 / ITO陽極膜 / / / |
| (英) |
OLED / Electrode film / Sputter-deposition / Al cathode / ITO anode / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-45, pp. 29-34, 2013年8月. |
| 資料番号 |
CPM2013-45 |
| 発行日 |
2013-07-25 (CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
CPM2013-45 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
CPM |
| 開催期間 |
2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地(和) |
釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 |
| 開催地(英) |
|
| テーマ(和) |
電子部品・材料,一般 |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
CPM |
| 会議コード |
2013-08-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
スパッタ法による上部電極膜の作製が有機EL素子の動作特性に及ぼす影響 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
Changes in operating charcteristics of OLED by the deposition of upper electrode films by sputtering |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
有機EL素子 / OLED |
| キーワード(2)(和/英) |
電極膜 / Electrode film |
| キーワード(3)(和/英) |
スパッタ / Sputter-deposition |
| キーワード(4)(和/英) |
Al陰極膜 / Al cathode |
| キーワード(5)(和/英) |
ITO陽極膜 / ITO anode |
| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
星 陽一 / Yoichi Hoshi / ホシ ヨウイチ |
| 第1著者 所属(和/英) |
東京工芸大学 (略称: 東京工芸大)
Tokyo Polytechnic University (略称: Tokyo Polytechnic Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小林 信一 / Shin-ichi Kobayashi / コバヤ シシンイチ |
| 第2著者 所属(和/英) |
東京工芸大学 (略称: 東京工芸大)
Tokyo Polytechnic University (略称: Tokyo Polytechnic Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
内田 孝幸 / Takayuki Uchida / ウチダ タカユキ |
| 第3著者 所属(和/英) |
東京工芸大学 (略称: 東京工芸大)
Tokyo Polytechnic University (略称: Tokyo Polytechnic Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / |
| 第4著者 所属(和/英) |
新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2013-08-01 15:45:00 |
| 発表時間 |
20分 |
| 申込先研究会 |
CPM |
| 資料番号 |
CPM2013-45 |
| 巻番号(vol) |
vol.113 |
| 号番号(no) |
no.171 |
| ページ範囲 |
pp.29-34 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2013-07-25 (CPM) |