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講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-01 13:50
超高効率多接合太陽電池の実現に向けたGaAsN太陽電池の高効率化
池田和磨小島信晃大下祥雄山口真史豊田工大CPM2013-40
抄録 (和) これまでN濃度により決まると考えられてきたGaAsNの低いキャリア移動度と寿命を化学ビームエピタキシー法により改善した.その材料特性を下にGaAsN太陽電池を作製し,変換効率6.5%を得た.Suns-Voc法を用いて,直列抵抗を無視した場合の変換効率が13.7%と見積もられることから,直列抵抗が支配的に変換効率を制限していることが示唆された.高い直列抵抗の原因は,主に表面電極形状によると考えられる.また,外部量子効率が長波長側で低下していることから,pin構造を用いることにより,更なる変換効率の向上が期待される. 
(英) The carrier mobility and lifetime of GaAsN which have been considered to be determined by N composition were improved by chemical beam epitaxy. The conversion efficiency of GaAsN solar cell was obtained to be 6.5%. The pseudo conversion efficiency was estimated to be 13.7% by Suns-Voc method. This method neglects the effect of the series resistance on the conversion efficiency. The high series resistance is considered to be caused by the configuration of the electrode. The optimization of the electrode can improve the efficiency. Further improvement can be possible by using pin structure, because the deterioration of the external quantum efficiency at long wavelength region was observed.
キーワード (和) GaAsN / 太陽電池 / 化学ビームエピタキシー / / / / /  
(英) GaAsN / Solar cell / Chemical beam epitaxy / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-40, pp. 7-10, 2013年8月.
資料番号 CPM2013-40 
発行日 2013-07-25 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2013-40

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2013-08-01 - 2013-08-02 
開催地(和) 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2013-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超高効率多接合太陽電池の実現に向けたGaAsN太陽電池の高効率化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaAsN Solar Cell for Super High Efficient Multijunction Solar Cell 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaAsN / GaAsN  
キーワード(2)(和/英) 太陽電池 / Solar cell  
キーワード(3)(和/英) 化学ビームエピタキシー / Chemical beam epitaxy  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 和磨 / Kazuma Ikeda / イケダ カズマ
第1著者 所属(和/英) 豊田工業大学 (略称: 豊田工大)
Toyota Technological Institute (略称: Toyota Technological Inst.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小島 信晃 / Nobuaki Kojima / コジマ ノブアキ
第2著者 所属(和/英) 豊田工業大学 (略称: 豊田工大)
Toyota Technological Institute (略称: Toyota Technological Inst.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大下 祥雄 / Yoshio Oshita / オオシタ ヨシオ
第3著者 所属(和/英) 豊田工業大学 (略称: 豊田工大)
Toyota Technological Institute (略称: Toyota Technological Inst.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 真史 / Masafumi Yamaguchi / ヤマグチ マサフミ
第4著者 所属(和/英) 豊田工業大学 (略称: 豊田工大)
Toyota Technological Institute (略称: Toyota Technological Inst.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-08-01 13:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2013-40 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.171 
ページ範囲 pp.7-10 
ページ数
発行日 2013-07-25 (CPM) 


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