| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2013-08-01 13:30
AlおよびAl3Nb薄膜による化学的に不活性な界面の形成 ○野矢 厚・武山真弓(北見工大) CPM2013-46 |
| 抄録 |
(和) |
あらまし 固相反応が生じない化学的に不活性な界面をAlと遷移金属の化合物であるアルミナイドをAlとの界面に用いた薄膜系について提案した。この考えをAl/Al3Nb/SiO2/Si系において実験的に確認した。その結果、配向したAl3Nb(112)面上にAl(111)配向組織が得られた。さらに、Al/Al3Nb界面では570℃までの熱処理温度で、いかなる固相反応も生じない化学的に不活性な界面となることを実証した。 |
| (英) |
Abstract We propose a chemically inert interface, at which no solid-phase reaction takes place, between Al and an underlying aluminide thin film. We confirm validity of the proposed concept in the Al/Al3Nb/SiO2/Si system. We obtain Al(111) texture on the Al3Nb(112) layer, and the Al/Al3Nb interface is chemically inert without reaction at temperatures up to 750°C. We can demonstrate the chemically inert interface of Al/Aluminide thin films. |
| キーワード |
(和) |
化学的不活性 / 界面 / Al / Al3Nb / アルミナイド / 固相反応 / / |
| (英) |
chemically inert / interface / Al / Al3Nb / aliminides / solid-phase reaction / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-46, pp. 35-38, 2013年8月. |
| 資料番号 |
CPM2013-46 |
| 発行日 |
2013-07-25 (CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
CPM2013-46 |