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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-09 11:20 Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2013-49 |
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| 抄録 | （和） | 最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の研究において、ナノワイヤーやFin構造など基礎的な構造は選択成長法、触媒を利用したVLS技術、化学気相蒸着法などで形成された。我々はSi基板上にIn/Sb誘起再構成構造を介してInSb薄膜の作製を注目した。本研究室では以前の研究において、Si(111)基板表面に形成したSb-(2×1)とSb-(√3×√3)再構成構造表面上へのIn吸着を考察し、1.0ML-In蒸着時に基板温度は450℃を超えると、両方の構造表面のInの吸着係数が0になっていることを明らかにした。これを踏まえ、Sb-(√3×√3)再構成構造を利用してSi(111)基板上にInSbの選択的な成長を研究する。 |
| （英） | Recently, devices with three-dimensional structure such as nanowire field effect transistor (NW-FETs) and FinFETs has extensively studied. In most of these studies, the base structures such as nanowire or Fin structure were formed by using selective area growth or catalyst assisted vapor-liquid-solid (VLS) growth technique, and by using chemical vapor deposition(CVD) growth method. In this research, we paid attention to the surface reconstruction induced by In and Sb atoms on the Si substrate at the initial stage of growth of InSb films. In that process, we found that the sticking coefficient of In atoms goes to 0 above certain temperature (450℃) onto Sb-(√3×√3)or Sb-(2×1) surface reconstruction. Based on this result, we studied the trial of the selective epitaxial growth of InSb by on Si(111) using Sb-(√3×√3)surface phase. | |
| キーワード | （和） | Si(111) / InSb / 表面再構成構造 / 選択成長法 / / / / |
| （英） | Si(111) / InSb / Reconstructed surface / Selective epitaxial growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 176, ED2013-49, pp. 61-65, 2013年8月. | |
| 資料番号 | ED2013-49 | |
| 発行日 | 2013-08-01 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2013-08-08 - 2013-08-09 |
| 開催地（和） | 富山大学工学部 大会議室 |
| 開催地（英） | University of Toyama |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス（表面、界面、信頼性）、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective area growth of InSb on Si(111) substrate by using Sb induced surface reconstruction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si(111) / Si(111) |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | 表面再構成構造 / Reconstructed surface |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長法 / Selective epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 シン / Wang Xin / オウ シン |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-09 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-49 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.61-65 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-08-01 (ED) |
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