| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-29 16:55 選択注入機構1.9THz量子カスケードレーザの高温動作 ○佐々木美穂・林 宗澤・平山秀樹（理研）  R2013-43 EMD2013-49 CPM2013-68 OPE2013-72 LQE2013-42 |
|
| 抄録 | （和） | テラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)は連続動作可能，高出力，狭線幅などの特長を有する小型のテラヘルツ光源として期待されている．しかしながらその最高動作温度は200K(3.2THz)と低く室温での動作には至っていない．その原因の一つに発光エネルギーが小さいことによる発光上下準位への同時注入が挙げられる．THz-QCLで高温動作を得るためには，発光を対角遷移とし波動関数を空間的に分離することで電子の発光下位準位への注入を阻止し，発光上位準位への選択的注入を行うことが重要である．本研究では低周波数(< 2THz)THz-QCLの高温動作を目的とし，電子の注入機構に改良を加えた「選択注入型」のTHz-QCLを試作し，1.9THzにおいて最高動作温度160Kの発振を得た。本結果は、2THz以下の低周波数THz-QCLで安定動作が得られた最高動作温度であり，熱的な限界ライン(kBT)を1.8倍上回る値が得られた． |
| （英） | Terahertz quantum cascade laser (THz-QCL) is a promising compact THz light source realizing the cw operation, high output power, and quite narrow emission linewidth. However, the maximum operation temperature of THz-QCL is near 200 K (3.2 THz) and it has not yet realized at room temperature operation. One of the reasons is the injection selectively for upper and lower lasing level which is caused by small THz emission energy. The diagonal emission with spatially separated wavefunction prevents electron injection into lower lasing level and correctly injected into upper lasing level by selectivity LO phonon scattering process; which are important to obtain a higher temperature operation in THz-QCL even in narrow radiative subband energy. In this work, we fabricated selective injection scheme THz-QCL which aims to higher temperature operation of lower frequency (< 2 THz) THz-QCL. And we have succeeded 1.9 THz lasing at maximum operating temperature 160 K. | |
| キーワード | （和） | 量子カスケードレーザ / テラヘルツ / 選択注入機構 / LOフォノン散乱 / / / / |
| （英） | Quantum Cascade Laser / Terahertz / Selective Injection Scheme / LO-phonon scattering / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 190, LQE2013-42, pp. 77-80, 2013年8月. | |
| 資料番号 | LQE2013-42 | |
| 発行日 | 2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2013-43 EMD2013-49 CPM2013-68 OPE2013-72 LQE2013-42 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE CPM EMD R |
| 開催期間 | 2013-08-29 - 2013-08-30 |
| 開催地（和） | サンリフレ函館 |
| 開催地（英） | sun-refre Hakodate |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-08-OPE-LQE-CPM-EMD-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 選択注入機構1.9THz量子カスケードレーザの高温動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.9 THz Selective Injection Design Quantum Cascade Laser Operating at Extreme Higher Temperature above kBT Line |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子カスケードレーザ / Quantum Cascade Laser |
| キーワード(2)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(3)（和/英） | 選択注入機構 / Selective Injection Scheme |
| キーワード(4)（和/英） | LOフォノン散乱 / LO-phonon scattering |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 美穂 / Miho Sasaki / ササキ ミホ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 宗澤 / Tsung-Tse Lin / リン ソウタク |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-29 16:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2013-43, EMD2013-49, CPM2013-68, OPE2013-72, LQE2013-42 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.186(R), no.187(EMD), no.188(CPM), no.189(OPE), no.190(LQE) |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]