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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-30 14:45 InGaAsポテンシャル制御量子井戸を用いた偏光無依存2x2光スイッチの理論検討 ○富永寛輝・盧 柱亨・荒川太郎（横浜国大）  R2013-58 EMD2013-64 CPM2013-83 OPE2013-87 LQE2013-57 |
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| 抄録 | （和） | ポテンシャル制御量子井戸の一つであるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸（FACQW）は，広い波長領域で大きな電界誘起屈折率変化が期待でき，光変調器等の光デバイスに応用すればその高性能化が可能である．しかし，従来のFACQWは偏光依存性を有しており，光経路スイッチへ応用するには偏光無依存化が必要である．そこで，本研究ではInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸（FACQW）の電界誘起屈折率変化の偏光無依存化について理論検討を行った．その結果，FACQWの量子井戸層にわずかな伸張歪を導入することにより，動作波長帯である1.55 m帯での偏光無依存化が可能であることを示した．また，コア層が残留不純物を要因とした空間電荷層により電界が不均一になり位相変化特性が劣化する問題に対し，歪FACQWと歪CQWで構成される組み合わせ多重量子井戸構造により位相変化特性の劣化の抑制が可能になる構造の設計を行った．さらに，組み合わせ多重量子井戸構造をコア層に用いた2×2マッハ・ツェンダー型（MZ）光スイッチの設計を行い，提案する組み合わせ多重量子井戸構造を用いた偏光無依存光スイッチの実現が可能であることを示した． |
| （英） | An InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well (FACQW) is one of the potential-tailored quantum well structures and is expected to exhibit large electrorefractive index change in a wide range of 1.55 m wavelength region and it is promising for high-performance photonic devices such as optical modulators and switches. However, the conventional FACQW shows the polarization-dependent electrorefractive index change, and its polarization-independence is desirable for optical switches. In this study, tensile-strained InGaAs/InAlAs FACQW is proposed and its polarization -independent electrorefractive index change is theoretically investigated. The influence of nonuniformity of electric field in a core layer caused by residual impurity on field-induced phase shift characteristics of a multiple FACQW is also discussed, and a multiple QW structure composed of the tensile-strained FACQW and CQW is proposed to suppress the degradation of phase-shift characteristics. In addition, polarization-independent 2×2 Mach-Zehnder optical switch with the multiple QW structure is also theoretically demonstrated. | |
| キーワード | （和） | 量子井戸 / 五層非対称結合量子井戸 / 電界誘起屈折率変化 / 光スイッチ / / / / |
| （英） | Quantum Well / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well / Electrorefractive Index Change / Optical switch / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 189, OPE2013-87, pp. 147-152, 2013年8月. | |
| 資料番号 | OPE2013-87 | |
| 発行日 | 2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2013-58 EMD2013-64 CPM2013-83 OPE2013-87 LQE2013-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE CPM EMD R |
| 開催期間 | 2013-08-29 - 2013-08-30 |
| 開催地（和） | サンリフレ函館 |
| 開催地（英） | sun-refre Hakodate |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2013-08-OPE-LQE-CPM-EMD-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaAsポテンシャル制御量子井戸を用いた偏光無依存2x2光スイッチの理論検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Potential-Tailored Strained InGaAs Quantum Well for Polarization-Independent 2×2 Optical Switch |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸 / Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | 五層非対称結合量子井戸 / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| キーワード(3)（和/英） | 電界誘起屈折率変化 / Electrorefractive Index Change |
| キーワード(4)（和/英） | 光スイッチ / Optical switch |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富永 寛輝 / Hiroki Tominaga / トミナガ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 盧 柱亨 / Joo-Hyong Noh / ノ ジュヒョン |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 太郎 / Taro Arakawa / アラカワ タロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-30 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | R2013-58, EMD2013-64, CPM2013-83, OPE2013-87, LQE2013-57 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.186(R), no.187(EMD), no.188(CPM), no.189(OPE), no.190(LQE) |
| ページ範囲 | pp.147-152 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-08-22 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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