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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-10-18 10:00 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大）  SDM2013-93 |
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| 抄録 | （和） | 低仕事関数を有するLaB6は，窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている．本研究では窒素添加したLaB6薄膜のデバイス応用を目的として，基礎特性に関する検討を行った．まずウェットエッチングおよびLaB6を電極として用いたMOSダイオードに関する検討を行い，その結果をもとにN2/4.9%H2雰囲気における400℃/5 minの熱処理を検討した．さらに結晶方位の観察を行った．硝酸によるエッチング条件の抽出に成功し，抵抗率290 μΩcmおよび面方位(110)が確認された．またC-V特性の測定から，熱処理によってヒステリシスのないC-V特性が得られ，仕事関数3.3-4.6 eVが得られることを明らかにした． |
| （英） | It was reported that oxidation immunity of LaB6 was improved by nitrogen incorporation. Basic characteristics of nitrogen-doped LaB6 was investigated. First, wet etching process using nitric acid was investigated. Then, a 400 deg./5 min anneal in N2/4.9%H2 ambient effect was also investigated. And a crystalline orientation of LaB6 was observed. The etching condition using nitric acid was obtained. The resistivity of 290 micro-ohm-cm and its crystalline orientation of (110) were also obtained. C-V characteristics of LaB6/SiO2/Si(100) was found to be improved by 400 deg./5 min anneal in N2/4.9%H2 and the obtained work function was 3.3-4.6 eV. | |
| キーワード | （和） | LaB6 / 窒素添加 / 低仕事関数 / エッチング / 熱処理 / / / |
| （英） | LaB6 / nitrogen-doped / low work function / etching / anneal / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 247, SDM2013-93, pp. 27-31, 2013年10月. | |
| 資料番号 | SDM2013-93 | |
| 発行日 | 2013-10-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-93 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-10-17 - 2013-10-18 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on Nitrogen-Doped LaB6 Thin Film Formation and Its Device Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LaB6 / LaB6 |
| キーワード(2)（和/英） | 窒素添加 / nitrogen-doped |
| キーワード(3)（和/英） | 低仕事関数 / low work function |
| キーワード(4)（和/英） | エッチング / etching |
| キーワード(5)（和/英） | 熱処理 / anneal |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-10-18 10:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-93 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.247 |
| ページ範囲 | pp.27-31 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-10-10 (SDM) |
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