講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-10-25 09:55
FeおよびFeSi積層膜からの固相反応法によるSi上鉄シリサイド薄膜形成 ○籾山克章・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦(山形大) CPM2013-103 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-103 |
抄録 |
(和) |
直接遷移半導体膜として期待されるβ-FeSi2をSi上に鉄あるいは鉄シリサイド膜を形成して、固相反応法を用いて作製した。蒸着膜が純Feと、FeとSiを混合したFeSiとで、β-FeSi2の成膜温度および膜質の比較を行った。蒸着材料に関わらず、膜の結晶性はアニール温度によって変化し、β-FeSi2のできる温度は、初期膜厚が増加するに伴って、高温化することがわかった。反応残渣として表面に現れる鉄アイランドを除去するために、塩化第二鉄溶液によるエッチングが有効であることを見出した。固相反応法として、60nm程度の厚膜β-FeSi2が形成できることを示した。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
鉄シリサイド / 固相反応法 / アニール / RHEED / / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 268, CPM2013-103, pp. 49-52, 2013年10月. |
資料番号 |
CPM2013-103 |
発行日 |
2013-10-17 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2013-103 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-103 |