ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-10-25 11:50
高密度プラズマ環境下のガスフロースパッタ法によるカーボン薄膜の作製
石井琢馬佐藤祐二渡邊貴晴石井 清佐久間洋志宇都宮大CPM2013-107
抄録 (和) 種々の方式のプラズマCVD法により単結晶を含めて良質なダイヤモンド薄膜が作製できるようになっているが,スパッタ法ではダイヤモンド構造単相の薄膜が形成しにくい場合が多い.本研究では,イオン密度が非常に高いプラズマ中で成膜が可能なガスフロースパッタ法に注目し,同手法によりダイヤモンド薄膜の作製を目指した.基板温度とプラズマの効果について基礎的検討を行った結果,600℃以上においてプラズマ密度が高い場合にナノ結晶ダイヤモンドを含む薄膜が成長することが推察された. 
(英) High-quality diamond thin films are successfully obtained by plasma-assisted CVD. On the other hand, carbon films with a diamond single phase are hardly prepared by PVD processes such as sputtering. In order to fabricate diamond films by PVD process, we investigated the deposition process and film structure of carbon films sputtered by gas flow sputtering (GFS) method. GFS is a high-pressure (~100 Pa) sputtering and has characteristics between PVD and CVD, and, moreover, enables the film deposition in a high-density plasma. The film structures of carbon films deposited at various temperatures and plasma densities were investigated, resulting in the observation of growth of nanocrystalline diamond films at substrate temperatures above 600 °C and under high-density plasma conditions.
キーワード (和) スパッタリング / スパッタ膜 / カーボン薄膜 / ダイヤモンド薄膜 / / / /  
(英) Sputtering / Sputtered Film / Carbon Thin Film / Diamond Thin Film / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 268, CPM2013-107, pp. 67-71, 2013年10月.
資料番号 CPM2013-107 
発行日 2013-10-17 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2013-107

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2013-10-24 - 2013-10-25 
開催地(和) 新潟大ときめいと 
開催地(英) Niigata Univ. Satellite Campus TOKIMEITO 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料、一般 
テーマ(英) Preparation of Thin Films, Materials for Physics and Applications, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2013-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高密度プラズマ環境下のガスフロースパッタ法によるカーボン薄膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation of carbon thin films by gas flow sputtering in high-density plasma 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) スパッタリング / Sputtering  
キーワード(2)(和/英) スパッタ膜 / Sputtered Film  
キーワード(3)(和/英) カーボン薄膜 / Carbon Thin Film  
キーワード(4)(和/英) ダイヤモンド薄膜 / Diamond Thin Film  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 琢馬 / Takuma Ishii / イシイ タクマ
第1著者 所属(和/英) 宇都宮大学 (略称: 宇都宮大)
Utsunomiya University (略称: Utsunomiya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 祐二 / Yuji Satou / サトウ ユウジ
第2著者 所属(和/英) 宇都宮大学 (略称: 宇都宮大)
Utsunomiya University (略称: Utsunomiya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 貴晴 / Takaharu Watanabe / ワタナベ タカハル
第3著者 所属(和/英) 宇都宮大学 (略称: 宇都宮大)
Utsunomiya University (略称: Utsunomiya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 清 / Kiyoshi Ishii / イシイ キヨシ
第4著者 所属(和/英) 宇都宮大学 (略称: 宇都宮大)
Utsunomiya University (略称: Utsunomiya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐久間 洋志 / Hiroshi Sakuma / サクマ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 宇都宮大学 (略称: 宇都宮大)
Utsunomiya University (略称: Utsunomiya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2013-10-25 11:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2013-107 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.268 
ページ範囲 pp.67-71 
ページ数
発行日 2013-10-17 (CPM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会