お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-14 14:50
熱衝撃Snウィスカの成長に及ぼす板状のNi-Sn金属間化合物の影響
斎藤 彰岡本 朗岩堀禎浩小川 誠村田製作所)・元木章博鯖江村田製作所R2013-76
抄録 (和) 鉛フリー化に伴って再燃したSnウィスカに関し,課題が残っている熱衝撃ウィスカを抑制する方法としてSnめっき層内に板状のNi-Sn金属間化合物(以降、板状IMCと略す)の形成が有効であることを前報にて示した.本研究では,Snウィスカと板状IMCとの位置関係を詳細に調べ,ウィスカが板状IMCに接して成長していること,ウィスカと同時に発生するノジュール(直径に対し長さの比が2未満のSn突起物)も板状IMC上に成長すること,及びノジュール数の増加に伴いウィスカが抑制されたこと等を見出した.さらに,応力シミュレーションも加え,新たなウィスカ抑制メカニズムを提案する. 
(英) With the promotion of lead-free solder in these years, some segments have expressed concern about the possibility of tin whisker formation in high-reliability applications. In our recent report, it was revealed that the formation of plate-shape Ni-Sn intermetallic compound (IMC) in tin plating layer inhibits the tin whisker growth under thermal shock stress. In this report, we propose that the thermal stress reduction by the nodule growth that promoted by plate-shape Ni-Sn IMC in tin layer causes the inhibition of whisker growth.
キーワード (和) 錫ウィスカ / 熱ストレス / 金属間化合物 / ノジュール / SEM観察 / NiSn4 / /  
(英) Tin Whisker / Thermal Stress / Intermetallic Compound / Nodule / SEM observation / NiSn4 / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 289, R2013-76, pp. 11-16, 2013年11月.
資料番号 R2013-76 
発行日 2013-11-07 (R) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2013-76

研究会情報
研究会 R  
開催期間 2013-11-14 - 2013-11-14 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英)  
テーマ(和) 半導体と電子デバイスの信頼性,信頼性一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2013-11-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 熱衝撃Snウィスカの成長に及ぼす板状のNi-Sn金属間化合物の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Plate-Shape Ni-Sn IMC on the Growth Mechanism of Tin Whisker under Thermal Shock Stress 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 錫ウィスカ / Tin Whisker  
キーワード(2)(和/英) 熱ストレス / Thermal Stress  
キーワード(3)(和/英) 金属間化合物 / Intermetallic Compound  
キーワード(4)(和/英) ノジュール / Nodule  
キーワード(5)(和/英) SEM観察 / SEM observation  
キーワード(6)(和/英) NiSn4 / NiSn4  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 斎藤 彰 / Akira Saito / サイトウ アキラ
第1著者 所属(和/英) 株式会社村田製作所 (略称: 村田製作所)
Murata Manufacturing Co., Ltd. (略称: Mutrata MFG)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 朗 / Akira Okamoto / オカモト アキラ
第2著者 所属(和/英) 株式会社村田製作所 (略称: 村田製作所)
Murata Manufacturing Co., Ltd. (略称: Mutrata MFG)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩堀 禎浩 / Yoshihiro Iwahori / イワホリ ヨシヒロ
第3著者 所属(和/英) 株式会社村田製作所 (略称: 村田製作所)
Murata Manufacturing Co., Ltd. (略称: Mutrata MFG)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 誠 / Makoto Ogawa / オガワ マコト
第4著者 所属(和/英) 株式会社村田製作所 (略称: 村田製作所)
Murata Manufacturing Co., Ltd. (略称: Mutrata MFG)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 元木 章博 / Akihiro Motoki / モトキ アキヒロ
第5著者 所属(和/英) 株式会社鯖江村田製作所 (略称: 鯖江村田製作所)
Sabae Murata Manufacturing Co., Ltd. (略称: Sabae Mutrata MFG)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-14 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 R 
資料番号 R2013-76 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.289 
ページ範囲 pp.11-16 
ページ数
発行日 2013-11-07 (R) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会