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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-14 13:50
低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション
金村貴永加藤弘一谷本弘吉青木伸俊豊島義明東芝SDM2013-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-102
抄録 (和) NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍にあるS原子の対(S2)によって引き起こされると、第一原理計算から予測されている。この報告では、第一原理計算とkinetic Monte Carlo (KMC) シミュレーションを用いて、Si中のS2形成に必要な拡散や反応、更に低温RTAでS2が形成されることを明らかにした。主なS2形成反応は、Sint + Ssub → I + S2 と Sint + SV → S2 である。650℃以下では、高温ほどSintの拡散が活性化されS2が速く形成される。800℃では、S2が I + S2 → Sint + Ssub によって分解し、分解したSintが拡散し酸化膜界面に捕獲されていく。 
(英) Sulfur doping at NiSi/Si junction has been found to make a Schottky barrier height ultimately small, revealing almost zero junction resistance. Theoretical analyses predict that the large barrier reduction is induced by S atom pair (S2) in the vicinity of NiSi/Si junction. In this paper, we clarified diffusions and elemental reactions for S2 formation in silicon, and suggested that S2 formation actually occurs in LT-RTA by combining first principles calculations and kinetic Monte Carlo (KMC) simulations. The dominant reactions of S2 formations are Sint + Ssub $to$ I + S2 and Sint + SV $to$ S2. Up to 650 $^circ$C, S2 is produced faster at higher temperature. At 800 $^circ$C , S2 is dissociated into Sint by I + S2 $to$ Sint + Ssub, and the Sint is diffused and trapped at oxide interface.
キーワード (和) キネティックモンテカルロシミュレーション / 第一原理計算 / 硫黄 / シリコン / 拡散 / / /  
(英) Kinetic Monte Carlo Simulations / First Principles Calculations / Sulfur / Silicon / Diffusion / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-102, pp. 15-20, 2013年11月.
資料番号 SDM2013-102 
発行日 2013-11-07 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-102

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-11-14 - 2013-11-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Atomistic Study of Sulfur Diffusion and S2 Formation in Silicon during Low-temperature Rapid Thermal Annealing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) キネティックモンテカルロシミュレーション / Kinetic Monte Carlo Simulations  
キーワード(2)(和/英) 第一原理計算 / First Principles Calculations  
キーワード(3)(和/英) 硫黄 / Sulfur  
キーワード(4)(和/英) シリコン / Silicon  
キーワード(5)(和/英) 拡散 / Diffusion  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 金村 貴永 / Takahisa Kanemura / カネムラ タカヒサ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 弘一 / Koichi Kato / カトウ コウイチ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷本 弘吉 / Hiroyoshi Tanimoto / タニモト ヒロヨシ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 伸俊 / Nobutoshi Aoki / アオキ ノブトシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima / トヨシマ ヨシアキ
第5著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-14 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-102 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.296 
ページ範囲 pp.15-20 
ページ数
発行日 2013-11-07 (SDM) 


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