講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-14 13:50
低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション ○金村貴永・加藤弘一・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明(東芝) SDM2013-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-102 |
抄録 |
(和) |
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍にあるS原子の対(S2)によって引き起こされると、第一原理計算から予測されている。この報告では、第一原理計算とkinetic Monte Carlo (KMC) シミュレーションを用いて、Si中のS2形成に必要な拡散や反応、更に低温RTAでS2が形成されることを明らかにした。主なS2形成反応は、Sint + Ssub → I + S2 と Sint + SV → S2 である。650℃以下では、高温ほどSintの拡散が活性化されS2が速く形成される。800℃では、S2が I + S2 → Sint + Ssub によって分解し、分解したSintが拡散し酸化膜界面に捕獲されていく。 |
(英) |
Sulfur doping at NiSi/Si junction has been found to make a Schottky barrier height ultimately small, revealing almost zero junction resistance. Theoretical analyses predict that the large barrier reduction is induced by S atom pair (S2) in the vicinity of NiSi/Si junction. In this paper, we clarified diffusions and elemental reactions for S2 formation in silicon, and suggested that S2 formation actually occurs in LT-RTA by combining first principles calculations and kinetic Monte Carlo (KMC) simulations. The dominant reactions of S2 formations are Sint + Ssub $to$ I + S2 and Sint + SV $to$ S2. Up to 650 $^circ$C, S2 is produced faster at higher temperature. At 800 $^circ$C , S2 is dissociated into Sint by I + S2 $to$ Sint + Ssub, and the Sint is diffused and trapped at oxide interface. |
キーワード |
(和) |
キネティックモンテカルロシミュレーション / 第一原理計算 / 硫黄 / シリコン / 拡散 / / / |
(英) |
Kinetic Monte Carlo Simulations / First Principles Calculations / Sulfur / Silicon / Diffusion / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-102, pp. 15-20, 2013年11月. |
資料番号 |
SDM2013-102 |
発行日 |
2013-11-07 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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