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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2013年11月14日(木) 10:00 - 16:40
2013年11月15日(金) 10:00 - 15:50
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 地下2階1号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月14日(木) 午前 
座長: 廣木 彰 (京都工芸繊維大学)
10:00 - 11:35
  10:00-10:05 オープニング アドレス ( 5分 )
(1) 10:05-10:50 [招待講演]2013 SISPADレビュー ~ 輸送,信頼性 ~ SDM2013-99 森 伸也阪大
(2) 10:50-11:35 [招待講演]2013 SISPADレビュー ~ 併設ワークショップ1 ~ SDM2013-100 植松真司慶大
  11:35-13:00 昼食 ( 85分 )
11月14日(木) 午後 
座長: 安斎 久浩 (ソニー)
13:00 - 14:40
(3) 13:00-13:50 [招待講演]計算科学に基づく電子デバイス設計の現状 SDM2013-101 白石賢二名大
(4) 13:50-14:15 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション SDM2013-102 金村貴永加藤弘一谷本弘吉青木伸俊豊島義明東芝
(5) 14:15-14:40 窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響 SDM2013-103 園田賢一郎佃 栄次谷沢元昭石川清志山口泰男ルネサス エレクトロニクス
  14:40-15:00 休憩 ( 20分 )
11月14日(木) 午後 
座長: 山川 真弥 (ソニー)
15:00 - 16:40
(6) 15:00-15:50 [招待講演]シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析 SDM2013-104 齋藤真澄太田健介田中千加沼田敏典東芝
(7) 15:50-16:40 [招待講演]量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション SDM2013-105 鍾 菁廣小田中紳二阪大
11月15日(金) 午前 
座長: 鎌倉 良成 (大阪大学)
10:00 - 11:40
(8) 10:00-10:25 シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計 SDM2013-106 田中千加萩島大輔東芝)・内田 建慶大)・沼田敏典東芝
(9) 10:25-10:50 DIBL効果を取り入れた弾道・準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル SDM2013-107 程 賀名大)・宇野重康立命館大)・中里和郎名大
(10) 10:50-11:15 Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証 SDM2013-108 大村泰久近藤祐介関西大
(11) 11:15-11:40 Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル SDM2013-109 大村泰久・○佐藤大貴佐藤伸吾関西大)・Abhijit Mallikカルカッタ大
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
11月15日(金) 午後 
座長: 森 伸也 (大阪大学)
13:00 - 14:15
(12) 13:00-13:25 ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション ~ 不純物散乱と遮蔽の影響の考察 ~ SDM2013-110 植田暁子筑波大)・Mathieu Luisierチューリッヒ工科大)・吉田勝尚本多周太佐野伸行筑波大
(13) 13:25-13:50 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 SDM2013-111 大森正規木場隼介前川容佑神戸大)・土屋英昭神戸大/JST)・鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・小川真人神戸大
(14) 13:50-14:15 モンテカルロ法を用いたSiナノ構造の熱電変換性能に関する解析 SDM2013-112 インドラ ヌル アディスシロ久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JST
  14:15-14:35 休憩 ( 20分 )
11月15日(金) 午後 
座長: 園田 賢一郎 (ルネサスエレクトロニクス)
14:35 - 15:50
(15) 14:35-15:00 MOSFETの1/f雑音におけるHoogeパラメータの統合モデル SDM2013-113 大村泰久関西大
(16) 15:00-15:25 Impacts of Channel Doping on Random Telegraph Signal Noise and Successful Noise Suppression by Mobility Enhancement SDM2013-114 Jiezhi ChenYusuke HigashiIzumi HiranoYuichiro MitaniToshiba
(17) 15:25-15:50 MOSFETの実効チャネル長の再考 SDM2013-115 寺田和夫讃井和彦辻 勝弘広島市大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 國清辰也 (ルネサスエレクトロニクス)
TEL: 072-787-2408
FAX: 072-789-3438
E--mail: zns 


Last modified: 2013-09-17 12:44:12


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