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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-15 14:35 MOSFETの1/f雑音におけるHoogeパラメータの統合モデル ○大村泰久（関西大）  SDM2013-113 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-113 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、様々な反転層チャネルMOSFETの1/f雑音特性を表現するHoogeパラメータに対する輸送現象の次元性の影響を考察する。ここで提案する現象論的なHoogeパラメータモデルは、考察対象のHoogeパラメータの重要な特徴の解釈に対して物理学的根拠を与える。即ち、新たに３つの固有Hoogeパラメータを導入することによって、Hoogeパラメータの振る舞いを整理することが出来ることを示す。最後に、３つのHoogeパラメータについて、それぞれ理論的なモデルを提案し、統一的な解釈の見通しを述べる。 |
| （英） | This paper considers the impact of transport dimensionality on the Hooge parameter behavior of various inversion-layer-channel MOSFETs. The phenomenological model proposed here gives a fundamental physical basis that allows important aspects of the Hooge parameter to be interpreted; the model also introduces three basic parameters (the Hooge parameter elements for the carrier-density fluctuation, the mobility fluctuation, and the cross-correlation component). Finally, theoretical models for the three basic parameters are proposed and the unified theory is examined using experimental results. | |
| キーワード | （和） | Hooge パラメータ / 低次元輸送 / 遮蔽長 / ３つのHoogeパラメータ / / / / |
| （英） | Hooge parameter / low-dimensional transport / screening length / three Hooge parameters / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-113, pp. 77-82, 2013年11月. | |
| 資料番号 | SDM2013-113 | |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-113 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-113 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-11-14 - 2013-11-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETの1/f雑音におけるHoogeパラメータの統合モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Possible Unified Model for the Hooge Parameter in Inversion-Layer-Channel MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Hooge パラメータ / Hooge parameter |
| キーワード(2)（和/英） | 低次元輸送 / low-dimensional transport |
| キーワード(3)（和/英） | 遮蔽長 / screening length |
| キーワード(4)（和/英） | ３つのHoogeパラメータ / three Hooge parameters |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大村 泰久 / Yasuhisa Omura / |
| 第1著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-15 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-113 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) |
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