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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-15 13:25 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 ○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大）  SDM2013-111 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接トンネリングの影響について検討を行った。その結果、III-V MOSFETは電子の有効質量が軽いために、約20 nm以下の比較的長いチャネル長でもSD直接トンネリングによるサブスレッショルドリーク電流の急激な増大が発生することが分かった。これはSi MOSFETよりも約3倍長いチャネル長でSD直接トンネリングが顕在化することを意味しており、III-V MOSFETの微細化を推し進める上で大きな障害となり得る。従って、ロードマップ終了後を睨んだ場合、SD直接トンネリングを抑制し、かつ高い電流駆動力を有する材料の開発が求められてくる。 |
| （英） | In this study, the impact of source-drain (SD) direct tunneling in III-V metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) was investigated using a quantum Wigner Monte Carlo simulation. It was found that the critical channel length for which a drastic increase in subthreshold current occurs due to SD direct tunneling is about 20 nm for both In0.53Ga0.47As and InP MOSFETs. Since this value is significantly larger than that for Si MOSFET, SD direct tunneling can be a major obstacle to downscale III-V MOSFETs into Lch < 20 nm. Hence, to go beyond the end of the roadmap, we will need a material selection for suppressing SD direct tunneling. | |
| キーワード | （和） | III-V MOSFET / 量子輸送効果 / ウィグナーモンテカルロ法 / ソースドレイン直接トンネリング / / / / |
| （英） | III-V MOSFET / Quantum Transport Effects / Wigner Monte Carlo Method / Source-Drain Direct Tunneling / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-111, pp. 65-70, 2013年11月. | |
| 資料番号 | SDM2013-111 | |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-11-14 - 2013-11-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum transport simulation of ultrasmall III-V MOSFETs using Wigner Monte Carlo approach |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V MOSFET / III-V MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 量子輸送効果 / Quantum Transport Effects |
| キーワード(3)（和/英） | ウィグナーモンテカルロ法 / Wigner Monte Carlo Method |
| キーワード(4)（和/英） | ソースドレイン直接トンネリング / Source-Drain Direct Tunneling |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大森 正規 / Masaki Ohmori / オオモリ マサキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木場 隼介 / Shunsuke Koba / コバ シュンスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 容佑 / Yosuke Maegawa / マエガワ ヨウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya / ツチヤ ヒデアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学/JST (略称： 神戸大/JST) Kobe University/JST (略称： Kobe Univ./JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学/JST (略称： 阪大/JST) Osaka University/JST (略称： Osaka Univ./JST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪大学/JST (略称： 阪大/JST) Osaka University/JST (略称： Osaka Univ./JST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 真人 / Matsuto Ogawa / オガワ マツト |
| 第7著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-15 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-111 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) |
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