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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-15 11:15 Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル 大村泰久・○佐藤大貴・佐藤伸吾（関西大）・Abhijit Mallik（カルカッタ大）  SDM2013-109 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、LSIの低エネルギー化を目標として幅広く検討されているTunnel FETの実用的なモデルの構築を目指して、理論的な検討を行った結果を紹介する。基礎的な理論は従来からの考え方を踏襲し、設計上不可欠なデバイス・パラメータと動作特性の関係を議論できるモデルの構築を基本方針とした。Double-gate構造を前提として、半導体層厚さ、ゲート絶縁膜のEOT、半導体層の不純物濃度を可変パラメータとするトンネル電流式を導出した。２次元デバイス・シミュレーションによってモデルによる特性計算結果を検証し、モデルの基本的な妥当性を確認した。 |
| （英） | This paper proposes a physics-based analytical device model with the non-local effect for the double-gate lateral TFET in order to predict device performance and technical issues. Here, we introduce an analytical model of the field-border line of the gate-induced field and the source-junction-induced field around the source junction because this border line critically rules the tunnel current. This effectively takes the non-local effect of tunneling. The tunnel current model is examined using the device simulations; it is demonstrated that the model successfully reproduces most device simulation results. | |
| キーワード | （和） | トンネルFET / ダブルゲート構造 / 低エネルギー / 急峻サブスレッショルド / / / / |
| （英） | unnel FET / double-gate / low energy / sharp swing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-109, pp. 55-60, 2013年11月. | |
| 資料番号 | SDM2013-109 | |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-11-14 - 2013-11-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Modeling of Double-Gate Lateral Tunnel FET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルFET / unnel FET |
| キーワード(2)（和/英） | ダブルゲート構造 / double-gate |
| キーワード(3)（和/英） | 低エネルギー / low energy |
| キーワード(4)（和/英） | 急峻サブスレッショルド / sharp swing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大村 泰久 / Yasuhisa Omura / オオムラ ヤスヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 大貴 / Daiki Sato / サトウ ダイキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 伸吾 / Shingo Sato / サトウ シンゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Abhijit Mallik / Abhijit Mallik / アブヒジト マリック |
| 第4著者 所属（和/英） | カルカッタ大学 (略称： カルカッタ大) Unuiversity of Calcutta (略称： Univ. of Calcuitta) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2013-11-15 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-109 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) |
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