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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-15 13:00 ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション ～ 不純物散乱と遮蔽の影響の考察 ～ ○植田暁子（筑波大）・Mathieu Luisier（チューリッヒ工科大）・吉田勝尚・本多周太・佐野伸行（筑波大）  SDM2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-110 |
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| 抄録 | （和） | 高濃度にドープされたn型のシリコンナノワイヤで構成されたジャンクションレストランジスタ(JLT)において, 遮蔽効果を伴ったイオン化不純物散乱の移動度への影響を調べた. 電気伝導特性と移動度の計算には, sp3d5s*タイトバインディングを用いた非平衡グリーン関数(NEGF)法を適用した. ゲート電圧の印加によってチャネル中の伝導電子の濃度が高くなるにつれて, 伝導電子によるイオン化した不純物クーロンポテンシャルの遮蔽が強まり, 移動度が増大することを検証した. 特に, 伝導電子とイオン化不純物の極性が反対で不純物濃度が高濃度の場合, オン電流での高い移動度が実現できることから, 伝導特性の向上が期待される. |
| （英） | We examine the low field mobility in the presence of the ionized impurity scattering of highly-doped n-type junctionless nanowire FETs by taking account of screening. The current is calculated by the nonequilibrium Green function method based on the sp3d5s* tight-binding model. The screened Coulomb potential of an ionized impurity is determined by solving the Poisson equation. We find that the mobility becomes larger with the increase of the density of electrons inside the channel by applying the gate voltage if the polarity of electrons is the opposite to the ionized impurity. This can be resulted from the screening of the ionized impurity potential by the channel electrons. The results may provide a guide for devices with improved transport properties. | |
| キーワード | （和） | ジャンクションレストランジスタ / 不純物散乱 / スクリーニング / 移動度 / NEGF法 / / / |
| （英） | Junctionless Transistor / Impurity Scattering / Screening / Mobility / NEGF method / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-110, pp. 61-64, 2013年11月. | |
| 資料番号 | SDM2013-110 | |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-11-14 - 2013-11-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション |
| サブタイトル（和） | 不純物散乱と遮蔽の影響の考察 |
| タイトル（英） | NEGF Simulation for Studying Effect of Screening and Impurity Scattering in Junctionless Transistors |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | ジャンクションレストランジスタ / Junctionless Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物散乱 / Impurity Scattering |
| キーワード(3)（和/英） | スクリーニング / Screening |
| キーワード(4)（和/英） | 移動度 / Mobility |
| キーワード(5)（和/英） | NEGF法 / NEGF method |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植田 暁子 / Akiko Ueda / |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Mathieu Luisier / Mathieu Luisier / |
| 第2著者 所属（和/英） | チューリッヒ工科大学 (略称： チューリッヒ工科大) ETH Zurich (略称： ETH Zurich) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 勝尚 / Katsuhisa Yoshida / |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本多 周太 / Syuta Honda / |
| 第4著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 伸行 / Nobuyuki Sano / |
| 第5著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-15 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-110 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.61-64 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) |
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