講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-15 10:25
DIBL効果を取り入れた弾道・準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル ○程 賀(名大)・宇野重康(立命館大)・中里和郎(名大) SDM2013-107 エレソ技報アーカイブへのリンク: SDM2013-107 |
抄録 |
(和) |
弾道・準弾道輸送円筒形Gate-All-Around (GAA) MOSFETコンパクトモデルについて研究し、Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL)効果を考慮した解析コンパクトモデルを提唱する。 |
(英) |
We propose an analytic compact model for ballistic and quasi-ballistic GAA-MOSFET with cylindrical cross section incorporating DIBL effect. |
キーワード |
(和) |
GAA-MOSFET / コンパクトモデル / DIBL効果 / 弾道・準弾道輸送 / / / / |
(英) |
GAA-MOSFET / Compact model, / DIBL effect / Ballistic and quasi-ballistic transport / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-107, pp. 43-48, 2013年11月. |
資料番号 |
SDM2013-107 |
発行日 |
2013-11-07 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2013-107 エレソ技報アーカイブへのリンク: SDM2013-107 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2013-11-14 - 2013-11-15 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2013-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
DIBL効果を取り入れた弾道・準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Analytic Compact Model of Ballistic and Quasi-ballistic Cylindrical Gate-All-Around MOSFET Incorporating Drain-Induced Barrier Lowering Effect |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GAA-MOSFET / GAA-MOSFET |
キーワード(2)(和/英) |
コンパクトモデル / Compact model, |
キーワード(3)(和/英) |
DIBL効果 / DIBL effect |
キーワード(4)(和/英) |
弾道・準弾道輸送 / Ballistic and quasi-ballistic transport |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
程 賀 / He Cheng / テイ ガ |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宇野 重康 / Shigeyasu Uno / ウノ シゲヤス |
第2著者 所属(和/英) |
立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中里 和郎 / Kazuo Nakazato / ナカザト カズオ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-11-15 10:25:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2013-107 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.296 |
ページ範囲 |
pp.43-48 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2013-11-07 (SDM) |