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| 講演名 | 2013-11-28 13:30 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 ○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井 学（新日本無線）  ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 |
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| 抄録 | （和） | 表面活性化ボンディング法（SAB法）により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合（アニール処理なし、アニール処理あり）の物理特性および電気特性を走査型電子顕微鏡（SEM）、電流-電圧（I-V）、容量-電圧（C-V）、およびブレークダウン特性により評価した。p+-Si/n-4H-SiC接合の電流-電圧（I-V）特性は、室温において整流特性を示した。容量-電圧（C-V）特性より抽出したp+-Si/n-4H-SiC接合のフラットバンド電圧は1.0V程度であり、p+-Si/n-4H-SiC接合の伝導帯オフセットはほぼゼロ（~0.02 eV）であるという結果を得た。また、ブレークダウン特性より得られたブレークダウン電圧からp+-Si/n-4H-SiC接合のブレークダウン電界強度（アニール処理なし：~0.88 MV/cm, アニール処理あり：~2.11 MV/cm）を推定した。この結果はSiの絶縁破壊電界強度（~0.3 MV/cm）およびSi/Si Abrupt 接合におけるブレークダウン電界強度（~0.65 MV/cm）と比較して優れた値を示した。 |
| （英） | The physical and electrical properties of p+-Si/n-4H-SiC heterojunctions with and without being annealed fabricated by using surface-activated bonding (SAB) were investigated by scanning electron microscopy (SEM), current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V), and breakdown characteristics measurements. The I-V characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions showed rectifying properties at room temperature. The flat-band voltage was around 1.0V and the conduction band offset of p+-Si/n-4H-SiC junctions was determined to be ~0.02 eV from the C-V characteristics. The obtained breakdown voltages from the breakdown characteristics corresponded to the electric field of ~0.88 MV/cm (not annealing) and ~2.11 MV/cm (annealing) and these values were higher than critical electric fields at breakdown in bulk Si (~0.3 MV/cm) and in Si-based one-sided abrupt junction (~0.65 MV/cm). | |
| キーワード | （和） | 表面活性化ボンディング / Si / SiC / 電流電圧特性 / ヘテロ接合 / / / |
| （英） | surface-activated bonding / Si / SiC / current-voltage characteristics / heterojunction / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-68, pp. 21-25, 2013年11月. | |
| 資料番号 | ED2013-68 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of Si/SiC heterojunctions fabricated using surface-activated bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面活性化ボンディング / surface-activated bonding |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 電流電圧特性 / current-voltage characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西田 将太 / Shota Nishida / ニシダ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梁 剣波 / Jianbo Liang / リョウ ケンポ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 雅史 / Masashi Morimoto / モリモト マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新井 学 / Manabu Arai / |
| 第5著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co. (略称： New Japan Radio) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-28 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-68, CPM2013-127, LQE2013-103 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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